| 发明名称 | 一种GaN衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。 | ||
| 申请公布号 | CN102201332A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201110117438.4 | 申请日期 | 2011.05.08 |
| 申请人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 | 发明人 | 于彤军;龙浩;张国义;吴洁君;贾传宇;杨志坚 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01S5/00(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种GaN衬底的制备方法，其步骤包括：1)在衬底上生长一过渡层，该过渡层是由碳纳米管与纳米柱构成；2)外延生长厚膜GaN材料，形成厚膜GaN衬底或进行GaN剥离，形成自支撑GaN衬底。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区海淀路52号1705室 | ||