反向导通半导体装置

摘要

提供一种反向导通半导体装置(200)，它包括共同晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，晶圆(100)的一部分形成具有基层厚度(102)的基层(101)。绝缘栅双极晶体管包括集电极侧(103)和发射极侧(104)，而集电极侧(103)设置成与晶圆(100)的发射极侧(104)相对。第一导电类型的第一层(1)和第二导电类型的第二层(2)交替设置在集电极侧(103)上。第一层(1)包括具有第一区宽度(11)的至少一个第一区(10)以及具有第一引导区宽度(13)的至少一个第一引导区(12)。第二层(2)包括具有第二区宽度(21)的至少一个第二区(20)以及具有第二引导区宽度(23)的至少一个第二引导区(22)。RC-IGBT按照满足如下几何规则的方式来设计：每个第二区宽度(21)等于或大于基层厚度(102)，而每个第一区宽度(11)小于基层厚度(102)。每个第二引导区宽度(23)大于每个第一引导区宽度(13)。每个第一引导区宽度等于或大于基层厚度(102)的两倍，并且第二引导区(22)的面积之和大于第一引导区(12)的面积之和。

主权项

一种反向导通半导体装置(200)，包括共同晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，在成品反向导通半导体装置(200)中具有未修正掺杂的所述晶圆(100)的部分形成基层(101)，其中所述绝缘栅双极晶体管包括集电极侧(103)和发射极侧(104)，并且所述集电极侧(103)设置成与所述晶圆(100)的所述发射极侧(104)相对，其中所述基层(101)具有基层厚度(102)，它定义为所述基层(101)在所述集电极侧(103)与所述发射极侧(104)之间具有的最大厚度，第一导电类型的第一层(1)和第二导电类型的第二层(2)交替设置在所述集电极侧(103)上，其特征在于所述第一层(1)包括至少一个第一区(10)和至少一个第一引导区(12)，其中每个第一区(10)由第一区边界包围并且具有第一区宽度(11)，以及每个第一引导区(12)由第一引导区边界包围并且具有第一引导区宽度(13)，所述第二层(2)包括至少一个第二区(20)和至少一个第二引导区(22)，其中每个第二区(20)由第二区边界包围并且具有第二区宽度(21)，以及每个第二引导区(22)由第二引导区边界包围并且具有第二引导区宽度(23)，各区或层宽度定义为所述区或层中的任何点与所述区或层边界上的点之间的最短距离的最大值的两倍，所述第二层(2)在整个平面之上没有相同结构，每个第一区宽度(11)小于所述基层厚度(102)，每个第二区宽度(21)等于或大于所述基层厚度(102)，每个第一引导区宽度(13)等于或大于所述基层厚度(102)的一倍，每个第二引导区宽度(23)大于所述基层厚度(102)的两倍，每个第二引导区宽度(23)大于每个第一引导区宽度(13)，以及所述至少一个第二引导区(22)的面积之和大于所述至少一个第一引导区(12)的面积之和。