| 发明名称 | STT-MRAM中的字线电压控制 | ||
| 摘要 | 本发明揭示用于控制施加到自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的字线晶体管(410)的字线电压的系统、电路和方法。一个实施例是针对包括具有磁性隧道结(MTJ，405)和字线晶体管的位单元的STT-MRAM。所述位单元耦合到位线(420)和源极线(440)。字线驱动器(432)耦合到所述字线晶体管的栅极。所述字线驱动器经配置以：提供比电源电压大的字线电压，所述电源电压低于所述电源电压的转变电压；且针对高于所述转变电压的电源电压提供小于所述电源电压的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102203870A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200980144341.3 | 申请日期 | 2009.11.04 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 杨赛森;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)，其包含：位单元，其具有磁性隧道结(MTJ)和字线晶体管，其中所述位单元耦合到位线和源极线；以及字线驱动器，其耦合到所述字线晶体管的栅极，其中所述字线驱动器经配置以：提供比电源电压大的字线电压，所述电源电压低于所述电源电压的转变电压；且针对高于所述转变电压的电源电压提供小于所述电源电压的电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||