发明名称 |
存储装置及其操作方法 |
摘要 |
存储装置具有作为多电平单元(MLC)的存储单元。存储单元阵列包括多个单元串,每个串设置在位线和共源线之间,其中,为了对所述位线进行预充电在编程校验期间对共源极线预充电。页缓冲器被配置成对存储单元进行编程、读取存储单元并执行编程校验。通过顺序增大位线选择信号的电压电平直到位线选择信号达到足以校验存储单元阵列中所选择的单元的编程状态的电压来执行该编程校验。 |
申请公布号 |
CN101252021B |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN200810002760.0 |
申请日期 |
2008.01.16 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
王锺铉;金德柱;朴成勋;梁彰元 |
分类号 |
G11C16/34(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
杨林森;杨红梅 |
主权项 |
一种包括多电平单元MLC的存储装置,包括:存储单元阵列,其包括多个单元串,所述多个单元串分别连接到每个位线和共地线,其中为了对所述位线进行预充电在编程校验期间对所述共地线预充电;多个页缓冲器,用于通过各个位线对存储单元进行编程并读取存储在所述存储单元中的数据;以及校验控制器,用于在对所述存储单元进行编程校验期间响应于第一控制信号而连接位线和所述页缓冲器,使得所述页缓冲器能够确定存储单元的编程状态。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |