| 发明名称 | 集成电路的ESD保护结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种集成电路的ESD保护结构，其设置于集成电路的内部电路及焊盘间，该ESD保护结构由占用集成电路的芯片一定面积的PN结组成，该PN结在所占用芯片的面积上被设置成由复数小面积的PN结并联连接而成，以增加PN结内所包含的本征硅的体积。本实用新型的ESD保护结构，在不增加芯片上所占用面积的情况下，增加了PN结耗尽区内的本征硅的体积，从而更有效的消耗ESD事件产生的能量对电路的影响，提高了电路抗ESD的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN201994298U | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201020661756.8 | 申请日期 | 2010.12.16 |
| 申请人 | 苏州华芯微电子股份有限公司 | 发明人 | 杭晓伟;彭秋平;张祯;江石根;谢卫国 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人 | 孙东风 |
| 主权项 | 一种集成电路的ESD保护结构，其设置于集成电路的内部电路及焊盘间，其特征在于：该ESD保护结构由占用集成电路的芯片一定面积的PN结组成，该PN结在所占用芯片的面积上被设置成由复数小面积的PN结并联连接而成，以增加PN结内所包含的本征硅的体积。 | ||
| 地址 | 215011 江苏省苏州市高新区向阳路198号 | ||