| 发明名称 | 具有垂直发射方向的表面发射半导体激光器件 | ||
| 摘要 | 说明了一种具有垂直的发射方向的表面发射半导体激光器件，该表面发射半导体激光器件包括半导体本体，该半导体本体具有第一谐振器镜（2）、第二谐振器镜（4）以及适用于生成辐射的活性区（3）。第一谐振器镜（2）具有交替堆叠的第一成分的第一层（2a）和第二成分的第二层（2b）。第一层（2a）具有氧化区域（8a）。另外，至少第一层（2a）分别包含掺杂物质，其中第一层（2a）的至少一层（21a）具有与其他第一层（2a）的掺杂物质浓度不同的掺杂物质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN102204039A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200980144049.1 | 申请日期 | 2009.08.26 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | B·迈尔;A·科勒;J·普法伊费尔 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;卢江 |
| 主权项 | 一种具有垂直的发射方向（7）的表面发射半导体激光器件，包括半导体本体，该半导体本体具有第一谐振器镜（2）、第二谐振器镜（4）以及适用于生成辐射的活性区（3），其中—第一谐振器镜（2）具有交替堆叠的第一成分的第一层（2a）和第二成分的第二层（2b），—第一层（2a）具有氧化区域（8a），—至少第一层（2a）分别包含掺杂物质，以及—第一层（2a）的至少一层（21a）具有与其他第一层（2a）的掺杂物质浓度不同的掺杂物质浓度。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||