| 发明名称 | 具有共振隧道势垒的增强的多位非易失性存储器装置 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器单元使用共振隧道势垒(600)，所述共振隧道势垒(600)在HfSiON或LaAlO3的两个层(610，612)之间具有非晶硅及/或非晶锗层(611)。电荷捕捉层(620)形成于所述隧道势垒上。高k电荷阻挡层形成于所述电荷捕捉层上。控制栅极(623)形成于所述电荷阻挡层上。另一实施例在隧道势垒(600)上形成包含两个氧化物层(610，612)的浮动栅极(620)，其中在所述氧化物层之间具有硅及/或锗的非晶层(611)。 | ||
| 申请公布号 | CN101356627B | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200680050557.X | 申请日期 | 2006.12.08 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 阿勒普·巴塔查里亚 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器单元，其包括：衬底，其具有一对源极/漏极区域；栅极绝缘层堆叠，其形成于所述衬底上且位于所述源极/漏极对的区域之间，所述栅极绝缘层堆叠包括：形成于所述衬底上的第一氧化物层；在所述第一氧化物层上且与所述第一氧化物层相接触的硅或锗的第一非晶层；形成于所述第一非晶层上且与所述第一非晶层相接触的锗或硅的第二非晶层，其中所述第二非晶层不同于所述第一非晶层；及形成于所述第二非晶层上且与所述第二非晶层相接触的第二氧化物层；电荷捕捉层，其形成于所述栅极绝缘层堆叠上；电荷阻挡层，其形成于所述电荷捕捉层上；及栅极，其形成于所述电荷阻挡层上。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||