| 发明名称 |
提高P阱到N阱的反向击穿电压的方法和CMOS硅器件 |
| 摘要 |
本发明涉及一种提高P阱到N阱的反向击穿电压的方法和CMOS硅器件。所述CMOS硅器件，包括：P型硅衬底；P阱，位于所述P型硅衬底中，所述P阱中具有P+注入区；N阱，位于所述P型硅衬底中，所述N阱和所述P阱由所述P型硅衬底隔离，所述N阱中具有N+注入区。所述方法包括：提供一P型硅衬底；在所述P型硅衬底中形成N阱和P阱，所述N阱和P阱由所述P型硅衬底隔离；在所述N阱中形成N+注入区，在所述P阱中形成P+注入区。本发明可以在标准CMOS工艺下，提高P阱到N阱的反向击穿电压。 |
| 申请公布号 |
CN102201342A |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
| 申请号 |
CN201110076115.5 |
申请日期 |
2011.03.29 |
| 申请人 |
北京昆腾微电子有限公司 |
发明人 |
白蓉蓉;刘忠志;曹靖;向毅海 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种提高P阱到N阱的反向击穿电压的方法，其特征在于，包括：提供一P型硅衬底；在所述P型硅衬底中形成N阱和P阱，所述N阱和P阱由所述P型硅衬底隔离；在所述N阱中形成N+注入区，在所述P阱中形成P+注入区。 |
| 地址 |
100097 北京市海淀区蓝靛厂东路2号院金源时代商务中心2号楼B座8层A、B |
