改善P3I腔室形掺杂的方法

摘要

提供通过等离子体浸没离子注入处理而注入离子到基板中的方法。在一实施例中，一种注入离子到基板中的方法包含：提供基板至处理腔室中，所述基板包括具有一或多个形成在其中的特征结构的基板表面，且每一特征结构具有一或多个水平表面和一或多个垂直表面；从含有适于产生离子的反应气体的气体混合物产生等离子体；在所述基板表面上和在基板特征结构的至少一水平表面上沉积材料层；通过各向同性工序而将来自所述等离子体的离子注入到所述基板中、到至少一水平表面中和到至少一垂直表面中；以及通过各向异性工序而蚀刻所述基板表面上和所述至少一个水平表面上的所述材料层。

主权项

一种通过等离子体浸没离子注入处理而注入离子到基板中的方法，所述方法包含以下步骤：提供基板至处理腔室中，所述基板包括具有一或多个形成在其中的特征结构的基板表面，且每一特征结构具有一或多个水平表面和一或多个垂直表面；通过各向同性工序而将来自等离子体的离子注入到至少一个所述水平表面中和到至少一个所述垂直表面中；以及通过各向异性工序而蚀刻所述基板表面和所述一或多个水平表面。