利用场感应反铁磁性或铁磁性耦合的自旋转矩转移单元结构

摘要

本发明提供一种包括软磁性层(104、204、254、304、354)及耦合层(106、206、256、306、356)的磁性存储器单元(50)，及一种操作所述存储器单元(50)的方法。所述存储器单元(50)包括具有自由铁磁性层(108、208、258、308、358)及钉扎铁磁性层(112、212、262、312、362)的堆叠(52、100、200、250、300、350)，且也可形成软磁性层(104、204、254、304、354)及耦合层(106、206、256、306、356)以作为所述堆叠(52、100、200、250、300、350)中的层。所述耦合层(106、206、256、306、356)可导致反铁磁性耦合以诱导所述自由铁磁性层(108、208、258、308、358)在反平行于所述软磁性层(104、204、254、304、354)的磁化的方向上被磁化，或所述耦合层(106、206、256、306、356)可导致铁磁性耦合以诱导所述自由铁磁性层(108、208、258、308、358)在平行于所述软磁性层(104、204、254、304、354)的所述磁化的方向上被磁化。

主权项

一种存储器单元，其包含：磁性单元结构，其包含磁性隧道结(MTJ)或自旋阀；软磁性材料；及耦合层，其布置于所述磁性单元结构与所述软磁性层之间。