发明名称 半导体装置
摘要 提供一种半导体装置,在向负载(EL像素及信号线)供给电流的晶体管中,可以不受偏差的影响供给正确的电流。使用采用放大电路的反馈电路,调节晶体管的各端子的电压。通过从电流源电路向晶体管输入电流Idata,利用反馈电路设定晶体管流过电流Idata所必需的栅源间电压(源电位)。反馈电路,通过控制使晶体管的漏电位成为规定的电位而动作。从而设定电流Idata流动所必需的栅电压。于是,在使用设定的晶体管时,可以向负载(EL像素及信号线)供给正确的电流。另外,因为可以控制漏电位,所以可以减小纽结(欧力)效应的影响。
申请公布号 CN102201196A 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN201110131365.4 申请日期 2004.05.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 木村肇
分类号 G09G3/30(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I 主分类号 G09G3/30(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 岳耀锋
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:电流源电路;第一晶体管,该第一晶体管的源极或漏极的一方连接到上述电流源电路;放大电路,具有:连接到上述第一晶体管的上述源极或漏极的一方的第一端子、与上述第一端子之间的电位差成为规定电压的第二端子、以及连接到上述第一晶体管的栅极的输出端子;以及第二晶体管,将栅极连接在上述放大电路的上述输出端子与上述第一晶体管的上述栅极之间。
地址 日本神奈川