| 发明名称 | 具有电容器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件，其能够防止电容器的大面积化而引起TDDB下降。在半导体衬底上形成有电容器。电容器具有以下部电极、电容器电介质膜以及上部电极的顺序层叠这些的结构。当设下部电极和上部电极经由电介质膜而相对的电容区域的面积为S，电容区域的外周线的总长度为L时，面积S为1000μm2以上，L/S为0.4μm-1以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101512755B | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200680055950.8 | 申请日期 | 2006.09.27 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 立花宏俊 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 浦柏明;徐恕 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，电容器，其形成在所述半导体衬底上，通过按顺序层叠下部电极、电容器电介质膜以及上部电极而构成，当设下部电极和上部电极隔着电介质膜而相对置的电容区域的面积为S，该电容区域的外周线的总长度为L时，面积S为1000μm2以上，L/S为0.4μm‑1以上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||