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发明名称 An SOI transistor having an embedded strain layer and a reduced floating body effect and a method for forming the same
摘要
申请公布号 GB2451369(B) 申请公布日期 2011.09.28
申请号 GB20080019286 申请日期 2007.03.29
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC 发明人 ANDY WEI;THORSTEN KAMMLER;JAN HOENTSCHEL;MANFRED HORSTMANN
分类号 H01L21/336;H01L29/10;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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