发明名称 | 具有可调电阻率的晶片加工装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有耐蚀刻涂层的制品。所述制品为加热元件、晶片载体或静电夹盘。所述制品具有由陶瓷或其它材料制成的基板,并且还具有一个或多个用于电阻加热或电磁夹盘或二者的电极。所述耐蚀刻涂层具有多个由具有不同电体积电阻率的材料制成的区域,使得整个涂层具有能通过改变每个区域的相对尺寸而变化的体积电阻率。 | ||
申请公布号 | CN102203931A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
申请号 | CN200980143906.6 | 申请日期 | 2009.09.02 |
申请人 | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 | 发明人 | 戴维·M·鲁辛科;马克·谢普肯斯;曾万学 |
分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 封新琴 |
主权项 | 一种晶片载体,所述晶片载体含有主体,所述主体含有基板和电极元件,所述晶片载体还含有配置在所述主体的外表面的至少一部分上的外涂层,所述外涂层含有电介质材料并具有至少两个具有不同电阻率的区域。 | ||
地址 | 美国纽约州 |