| 发明名称 | MEMS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底内的阱区；形成在阱区内的源极区、漏极区和沟道区；形成在源极区、漏极区表面的隔离层；形成在沟道区表面的栅介质层；形成在栅介质层上方并与栅介质层具有间隙的栅电极层，所述间隙宽度与沟道区对应。本发明提供MEMS器件的形成方法与传统半导体形成工艺兼容，不需要重新研发新型材料和新的制备工艺，制备的MEMS器件耐压性能高，栅电极漏电流低。 | ||
| 申请公布号 | CN102198925A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201010135707.5 | 申请日期 | 2010.03.25 |
| 申请人 | 江苏丽恒电子有限公司 | 发明人 | 毛剑宏;韩凤芹 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MEMS器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底内的阱区；形成在阱区内的源极区、漏极区和沟道区；形成在源极区、漏极区表面的隔离层；形成在沟道区表面的栅介质层；形成在栅介质层上方并与栅介质层具有间隙的栅电极层，所述间隙宽度与沟道区对应。 | ||
| 地址 | 211009 江苏省镇江高新技术产业开发园区经十二路668号211室 | ||