发明名称 |
半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件 |
摘要 |
本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件,在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域,在所述半导体基板的内部具有改质区域,在分割区域的至少一部分具有分割引导图形,利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。 |
申请公布号 |
CN1819159B |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN200610005974.4 |
申请日期 |
2006.01.20 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
隈川隆博;内海胜喜;松岛芳宏;松浦正美 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;B23K26/38(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,其特征在于,具有以下工序:形成半导体晶片的工序,在该工序中,在半导体基板上层叠层叠部分,并在所述层叠部分设置多个半导体元件、分别分割所述多个半导体元件用的分割区域、以及在所述分割区域的至少一部分形成的第1分割引导图形;进行激光扫描的工序,在该工序中,沿着所述半导体晶片的所述分割区域中形成的第1分割引导图形,进行激光扫描,并利用所述激光照射,在所述半导体基板的内部形成改质区域;以及分割所述半导体晶片的工序,在该工序中,以所述改质区域为起点产生沿着所述第1分割引导图案的侧壁的裂口。 |
地址 |
日本大阪府 |