| 摘要 |
1. Структура, содержащая: ! источник света, выполненный с возможностью излучения первого света; ! преобразующий длину волны слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен на пути первого света, находится на расстоянии от источника света и содержит первый преобразующий длину волны материал, выполненный с возможностью поглощения первого света и излучения второго света и при этом, преобразующий длину волны слой дополнительно содержит первый и второй преобразующие длину волны материалы; и ! отражающий слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен между отражающим слоем и источником света. ! 2. Структура по п.1, в которой источник света содержит по меньшей мере один полупроводниковый светоизлучающий диод. ! 3. Структура по п.1, в которой преобразующий длину волны слой дополнительно содержит не преобразующий длину волны материал. ! 4. Структура по п.1, в которой первый преобразующий длину волны материал расположен на первом участке преобразующего длину волны слоя и второй преобразующий длину волны материал расположен на втором участке преобразующего длину волны слоя. ! 5. Структура по п.1, в которой преобразующий длину волны слой имеет толщину от 5 до 500 мкм. ! 6. Структура по п.1, в которой отражающий слой является нижней поверхностью радиатора. ! 7. Структура по п.1, в которой отражающий слой находится в непосредственном контакте с преобразующим длину волны слоем. ! 8. Структура по п.1, дополнительно содержащая клеевой слой, расположенный между отражающим слоем и преобразующим длину волны слоем. ! 9. Структура по п.1, в которой отражающий слой имеет поперечную протяженность, приблизительно равную попереч� |
