| 摘要 |
1. Способ металлизации поверхности полупроводника или диэлектрика, заключающийся в том, что осуществляют формирование газовой фазы и металлизацию осаждением из газовой фазы посредством декомпозиции металлокоплекса, отличающийся тем, что формирование газовой фазы и металлизацию осуществляют в одном и том же объеме реактора, при этом проводят синтез летучего малоразмерного металлокомплекса и его перенос к поверхности, подлежащей металлизации, затем осуществляют воздействие, приводящее к декомпозиции малоразмерного металлокоплекса и металлизации осаждением из газовой фазы. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед проведением процесса объем реактора откачивают до давления, достаточного для предотвращения влияния остаточной атмосферы в отношении рабочей среды, затем формируют рабочую среду, используя поток газа-носителя сначала в смеси с парами летучего прекурсора, при этом последний посредством газа-носителя транспортируют в зону синтеза малоразмерного металлокомплекса, в которой осуществляют газогетерогенную химическую реакцию синтеза на поверхности зерен нелетучего прекурсора, а также сублимацию синтезированного малоразмерного металлокомплекса в поток, пропуская смесь сквозь дисперсную насыпку металлсодержащего нелетучего прекурсора и формируя рабочую среду, представляющую собой смесь газа-носителя, а также паров летучего прекурсора и синтезированного летучего малоразмерного металлокомплекса, который общим потоком транспортируют в зону декомпозиции и формирования металлического слоя, условия при указанном синтезе поддерживают обеспечивающими активацию летучего прекурсора и дом |
