| 摘要 |
1. Одномерная (1D) или двумерная (2D) наноструктура, содержащая шероховатую поверхность, где наноструктура содержит полупроводник, необязательно легированный, при условии, что наноструктура не является кремниевой нанопроволокой, полученной путем погружения очищенных кремниевых подложек p-типа с ориентацией (111) в водный раствор HF/AgNO3 на 20 мин при 50°С. ! 2. Наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что полупроводник содержит элементы Si, Ge, соединения GaAs, CdSe, GaN, AlN, Bi2Te3, ZnO, и т.п. или их комбинацию и необязательно легирован пятивалентным элементом или трехвалентным элементом. ! 3. Наноструктура по п.2, отличающаяся тем, что полупроводник содержит Si, Ge, или их комбинацию. ! 4. Наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что наноструктура является 1D-наноструктурой. ! 5. Наноструктура по п.4, отличающаяся тем, что 1D-наноструктура является нанопроволокой. ! 6. Наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что наноструктура является 2D-наноструктурой. ! 7. Устройство, содержащее одну или более одномерных (1D) или двумерных (2D) наноструктур, содержащих шероховатую поверхность, где каждая наноструктура содержит полупроводник, необязательно легированный, и каждая наноструктура контактирует с первым электродом и со вторым электродом. ! 8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что первый электрод содержит первый светонепроницаемый материал, а второй электрод содержит второй светонепроницаемый материал, причем первый и второй светонепроницаемые материалы являются одним и тем же материалом или разными материалами. ! 9. Устройство по п.7, отличающееся тем, что первый электрод и второй электрод электрически связаны один с другим. ! 10. Устройство по п.7, отличающе� |
