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<p>Es wird ein Verfahren zum Messen eines elektrischen Stroms (IM) mit Hilfe eines in einen Strompfad eingefügten Feldeffekttransistors (FET) angegeben, bei dem eine Steuerspannung (Ugs) zwischen Gate (g) und Source (s) des Transistors (FET) derart angelegt wird, dass der Spannungsabfall (Uds) zwischen Drain (d) und Source (s) am Transistor (FET) im Strompfad innerhalb eines vorgebbaren Bereichs bleibt. Weiterhin wird der besagte Spannungsabfall (Uds) sowie die Steuerspannung (Ugs) bestimmt. Mit diesen beiden Werten und einem bekannten Zusammenhang zwischen Drain-Source-Strom (IdS) / Drain-Source-Spannung (UdS) und Gate-Source-Spannung (Ugs) kann nun der gesuchte Strom (IM) bestimmt werden. Darüber hinaus wird eine Vorrichtung (1) zur Umsetzung des erfindungsgemäßen Verfahrens angegeben.</p> |
