发明名称 Pufferschaltkreis
摘要 Pufferschaltkreis (318) mit folgenden Merkmalen: ein erster Halbschaltkreis und ein zweiter Halbschaltkreis, wobei jeder der Halbschaltkreise umfasst: ein erster MOS-Transistor (M4, M9) eines ersten Typs mit einem Gateanschluss, der zum Empfangen einer Eingangsspannung angeschlossen ist, einem ersten Anschluss, der zum Empfangen eines ersten Stroms (I21, I22) angeschlossen ist, einem zweiten Anschluss, der zum Empfangen eines zweiten Stroms (I11, I12) angeschlossen ist, wobei der Stromwert des zweiten Stroms geringer ist als der des ersten Stroms, und einem Body-Anschluss, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; ein zweiter MOS-Transistor (M23, M22) eines zweiten Typs, der zu dem ersten Typ entgegengesetzt ist, mit einem Gateanschluss, der mit dem zweiten Anschluss des ersten MOS-Transistors verbunden ist, einem ersten Anschluss, der zum Empfangen eines dritten Stroms (I31) angeschlossen ist, einem zweiten Anschluss, der mit dem ersten Anschluss des ersten MOS-Transistors verbunden ist; und ein dritter MOS-Transistor (M5, M8) des ersten Typs...
申请公布号 DE102008010963(B4) 申请公布日期 2011.09.22
申请号 DE200810010963 申请日期 2008.02.25
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 WAN, JUN;HOLLOWAY, PETER R.
分类号 H03F3/45;H03F1/30;H03M1/00 主分类号 H03F3/45
代理机构 代理人
主权项
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