发明名称 |
SILICON-ON-INSULATOR DEVICES WITH BURIED DEPLETION SHIELD LAYER |
摘要 |
A silicon-on-insulator device with a with buried depletion shield layer.
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申请公布号 |
US2011227191(A1) |
申请公布日期 |
2011.09.22 |
申请号 |
US20100728058 |
申请日期 |
2010.03.19 |
申请人 |
DISNEY DONALD R |
发明人 |
DISNEY DONALD R. |
分类号 |
H01L29/06;H01L21/761;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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