| 主权项 |
一种形成一表面导电带之方法，包含：提供一基材，其包含一导电层与一上垫层；于该基材中形成一深沟渠电容，该深沟渠电容表面具有一导电连接层，该导电连接层接触该导电层；形成一多晶矽层，覆盖于该上垫层与该导电连接层；进行一选择性斜角离子布植制程，使部分位于该导电连接层上方之该多晶矽层为一未掺杂多晶矽层；移除该未掺杂多晶矽层以暴露出部分之该导电连接层；对该暴露出之该导电连接层进行一蚀刻制程以形成一凹口；移除该多晶矽层，使得暴露出之该导电连接层成为一导电连接带；将一绝缘材料填满该凹口并覆盖该导电连接带以形成一浅沟渠隔离；移除该上垫层以暴露出该导电层；以及选择性移除部分之该导电层以形成一第一导电带，该第一导电带与该导电连接带共同构成该表面导电带。如请求项1之方法，其中该基材为一半导体基材。如请求项1之方法，其中该导电层之厚度介于3个原子至500@sIMGCHAR!d10013.TIF@eIMG!之间。如请求项1之方法，其中该导电层包含一金属。如请求项4之方法，其中该金属选自由钛、氮化钛、钨、钽与氮化钽所组成之群组。如请求项1之方法，其中该导电层包含一非金属。如请求项6之方法，其中该非金属选自由多晶矽与石墨所组成之群组。如请求项1之方法，其中该上垫层包含氮化矽。如请求项1之方法，其中该导电连接层之厚度介于3个原子至500@sIMGCHAR!d10014.TIF@eIMG!之间。如请求项1之方法，其中该导电连接层包含一金属。如请求项10之方法，其中该金属选自由钛、氮化钛、钨、钽与氮化钽所组成之群组。如请求项1之方法，其中该导电连接层包含一非金属。如请求项12之方法，其中该非金属选自由多晶矽与石墨所组成之群组。如请求项1之方法，其中使用BF2＋进行该选择性斜角离子布植制程。如请求项1之方法，其中该选择性斜角离子布植制程之入射角大约为10－20度。如请求项1之方法，其中使用一蚀刻制程以移除该未掺杂多晶矽层。如请求项1之方法，其中该绝缘材料包含矽氧层、掺杂矽玻璃与未掺杂矽玻璃。如请求项1之方法，其中使用热磷酸湿蚀刻制程以移除该上垫层。如请求项1之方法，其中使用一微影制程加上一蚀刻制程以移除部分之该导电层。如请求项1之方法，其中该选择性移除部分之该导电层以形成一第一导电带进一步包含形成与该浅沟渠隔离相连之一第二导电带。 |
