| 主权项 |
一种正型光阻组成物，其为膜厚1~15μm之厚膜光阻膜形成用正型光阻组成物，其特征为使经由酸之作用而增大硷可溶性之树脂成份(A)，与经由曝光产生酸之酸发生剂成份(B)溶解于有机溶剂(S)而制得，前述树脂成份(A)中，相对于构成(A)成份之全结构单位，下述通式(a1-1)所表示之结构单位(a1)为含有10~95莫耳%，下述通式(a2-1)所表示之结构单位(a2)为含有1~85莫耳%，及下述通式(a3-1)所表示之结构单位(a3)为含有1~20莫耳%，@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!〔上述式中，R为氢原子、碳数1~5之低级烷基、卤素原子或卤化低级烷基；R6为碳数1~5之低级烷基；p为1~3之整数；q为0~2之整数〕@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!〔式中，R为氢原子、碳数1~5之低级烷基、卤素原子或卤化低级烷基；R1为酸解离性溶解抑制基或具有酸解离性溶解抑制基之有机基〕@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!〔式中，R为氢原子、碳数1~5之低级烷基、卤素原子或卤化低级烷基；R7为碳数1~5之低级烷基，r为0~3之整数〕前述有机溶剂(S)为丙二醇单甲基醚50至95质量%，与其他溶剂(S2)5至50质量%之混合溶剂。如申请专利范围第1项之正型光阻组成物，其中，前述溶剂(S2)为由丙二醇单甲基醚乙酸酯、乙酸丁酯与乙酸戊酯所成群中所选择之1种以上者。一种厚膜光阻层合物，其特征为，于支撑体上，层合由申请专利范围第1或2项之正型光阻组成物所形成之膜厚1~15μm之厚膜光阻膜者。一种光阻图型形成方法，其特征为包含，于支撑体上，使用申请专利范围第1或2项之正型光阻组成物形成膜厚1~15μm之厚膜光阻膜之步骤，使前述厚膜光阻膜选择性曝光之步骤，及使前述厚膜光阻膜硷显影以形成光阻图型之步骤。 |
