| 主权项 |
一种发光二极体元件的制造方法，其步骤包括有：(a)提供一基板，于该基板表面形成一遮罩层，且该遮罩层具有复数个矩形露出基板表面的磊晶区域；(b)于该些磊晶区域进行磊晶，形成一发光二极体磊晶层，且每个磊晶区域间的发光二极体磊晶层间形成一间隔缝；(c)于该发光二极体磊晶层上方避开该间隔缝之区域形成一蚀刻遮罩层；(d)使用一湿蚀刻溶液进入该间隔缝对该发光二极体磊晶层与该遮罩层进行湿蚀刻制程，使该发光二极体磊晶层从底部开始蚀刻，形成侧面外悬凸出的结构形状；(e)除去该蚀刻遮罩层，然后于该发光二极体磊晶层上方形成一透明导电层；(f)对该透明导电层与该发光二极体磊晶层进行蚀刻形成一接触部，再形成一n型欧姆接触电极于该接触部上，一p型欧姆接触电极于该透明导电层上，用以提供流经该发光二极体磊晶层的驱动电流；及(g)将该基板研磨，并切割崩裂形成发光二极体元件。如申请专利范围第1项所述的制造方法，其中该基板系为蓝宝石、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化镓(GaAs)和氮化铝(AlN)基板其中之一。如申请专利范围第1项所述的制造方法，其中该遮罩层材料系包括二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)与光阻剂其中之一。如申请专利范围第1项所述的制造方法，其中该遮罩层材料系包括镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)及钛(Ti)其中之一。如申请专利范围第1项所述的制造方法，其中该湿蚀刻溶液系包括温度范围在50℃至350℃加热状态的硫酸(H2SO4)：磷酸(H3PO4)混合液，氢氧化钾(KOH)，磷酸(H3PO4)，氢氧化钾(KOH)：乙二醇混合液其中之一。如申请专利范围第1项所述的制造方法，其中该磊晶区域表面上进一步可由该遮罩层材料形成复数凸部，使该湿蚀刻溶液对该发光二极体磊晶层底面进行湿蚀刻，使该发光二极体磊晶层底面形成一凹凸表面。如申请专利范围第6项所述的制造方法，其中该些凸部系为直线并列，四边形、圆形及多边形阵列其中之一所组成。如申请专利范围第1项所述的制造方法，其中该步骤a可于该基板进行蚀刻形成一凹槽层取代该遮罩层，且该凹槽层使该基板表面形成复数个矩形的磊晶区域。如申请专利范围第8项所述的制造方法，其中该磊晶区域表面上进一步可在该基板进行蚀刻形成复数凹部，使该湿蚀刻溶液对该发光二极体磊晶层底面进行湿蚀刻，使该发光二极体磊晶层底面形成一凹凸表面。如申请专利范围第9项所述的制造方法，其中该凹部系为直线并列、四边形、圆形及多边形阵列其中之一所组成。一种发光二极体元件的制造方法，其步骤包括有：(a)提供一基板，于该基板表面形成复数个等距离图形排列的复数凸部；(b)于该基板表面进行磊晶，形成一发光二极体磊晶层；(c)于该发光二极体磊晶层上方形成一蚀刻遮罩层；(d)对该蚀刻遮罩层与该发光二极体磊晶层进行雷射切割到该基板表面，形成复数个间隔缝，且该些间隔缝使该发光二极体磊晶层成矩形；(e)使用一湿蚀刻溶液进入该些间隔缝对该发光二极体磊晶层与该些凸部进行湿蚀刻制程，使该发光二极体磊晶层从底部开始蚀刻，形成侧面外悬凸出的结构形状，且该发光二极体磊晶层底面形成一凹凸表面；(f)除去该蚀刻遮罩层，然后于该发光二极体磊晶层上方形成一透明导电层；(g)对该透明导电层与该发光二极体磊晶层进行蚀刻形成一接触部，再形成一n型欧姆接触电极于该接触部上，一p型欧姆接触电极于该透明导电层上，用以提供流经该发光二极体磊晶层的驱动电流；及(h)将该基板研磨，并切割崩裂形成发光二极体元件。如申请专利范围第11项所述的制造方法，其中该基板系为蓝宝石、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化镓(GaAs)和氮化铝(AlN)基板其中之一。如申请专利范围第11项所述的制造方法，其中该些凸部材料系包括二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)与光阻剂其中之一。如申请专利范围第11项所述的制造方法，其中该些凸部材料系包括镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)及钛(Ti)其中之一。如申请专利范围第11项所述的制造方法，其中该些凸部系为直线并列，四边形、圆形及多边形阵列排列其中之一所组成。如申请专利范围第11项所述的制造方法，其中该湿蚀刻溶液包括温度范围在50℃至350℃加热状态的硫酸(H2SO4)：磷酸(H3PO4)混合液，氢氧化钾(KOH)，磷酸(H3PO4)，氢氧化钾(KOH)：乙二醇混合液其中之一。如申请专利范围第11项所述的制造方法，其中该步骤a可于该基板进行蚀刻形成复数个等距离图形排列的凹部取代该些凸部。如申请专利范围第17项所述的制造方法，其中该些凹部系为直线并列，四边形、圆形及多边形阵列排列其中之一所组成。 |
