| 主权项 |
一种内连线制程，包括：(a)提供具有一导电区域之一半导体基材；(b)形成一具有一接触窗之介电层以覆盖该半导体基材，且该接触窗系暴露部分之该导电区域；(c)对覆盖有该介电层之该半导体基材进行一热处理，其中该热处理步骤系执行于450℃至700℃之间；以及(d)于该热处理步骤后，形成一导电层于该介电层上。如申请专利范围第1项所述之内连线制程，其中于该步骤(b)及该步骤(d)之间更包括：对该半导体基材进行一预洗(pre-clean)步骤。如申请专利范围第1项所述之内连线制程，其中于该步骤(c)中，该热处理系为一退火处理(annealing)或一快速退火处理(Rapid Thermal Processing,RTP)。如申请专利范围第1项所述之内连线制程，其中于该步骤(d)中，该导电层之材质包含钨(tungsten,W)。如申请专利范围第1项所述之内连线制程，其中该步骤(c)及该步骤(d)之间更包括：(c1)形成一堆叠层以覆盖该接触窗表面及该导电区域。如申请专利范围第5项所述之内连线制程，其中于该步骤(d)中，该导电层之材质包含钨(tungsten,W)，该堆叠层包括一含钛之第一层及一含氮化钛之第二层，该第一层系位于该导电区域及该第二层之间。如申请专利范围第6项所述之内连线制程，其中该制程更包括：形成一钛矽化合物层于该第一层及该导电区域之间。如申请专利范围第6项所述之内连线制程，其中于该步骤(c1)中，系使用包含四氯化钛(TiCl4)之一反应气体来形成该第一层及该第二层。如申请专利范围第8项所述之内连线制程，其中于该步骤(c1)中，系使用电浆辅助化学气相沈积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)技术来形成该第一层。如申请专利范围第9项所述之内连线制程，其中形成该第一层之反应气体更包含氢气、氩气或氦气。如申请专利范围第9项所述之内连线制程，其中形成该第一层之反应温度约为450至650℃。如申请专利范围第8项所述之内连线技术制程，其中于该步骤(c1)中，系使用化学气相沈积(Chemical Vapor Deposition，CVD)技术来形成该第二层。如申请专利范围第1项所述之内连线制程，其中于该步骤(d)中，该导电层系透过该接触窗电性连接该导电区域。如申请专利范围第1项所述之内连线制程，其中于该步骤(d)之后更包括：进行一研磨步骤。一种内连线制程，包括：(a)提供具有一导电区域之一半导体基材；(b)形成一具有一接触窗之介电层以覆盖该半导体基材，且该接触窗系暴露部分之该导电区域；(c)对覆盖有该介电层之该半导体基材进行一热处理，用以修复该导电区域，其中该热处理步骤系执行于450℃至700℃之间；(d)使用包含四氯化钛之一反应气体来形成一含钛之第一层及一含氮化钛之第二层，该第一层覆盖该接触窗表面及该导电区域，该第二层覆盖该第一层；以及(e)于该热处理步骤后，形成一导电层覆盖该第二层。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中于该步骤(d)中，系使用电浆辅助化学气相沈积技术来形成该第一层。如申请专利范围第16项所述之内连线制程，其中形成该第一层之该反应气体更包含氢气、氩气或氦气。如申请专利范围第16项所述之内连线制程，其中形成该第一层之反应温度约为450至650℃。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中于该步骤(d)中，系使用化学气相沈积技术来形成该第二层。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中该制程更包括：形成一钛矽化合物层于该第一层及该导电区域之间。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中于该步骤(b)及该步骤(d)之间更包括：对该半导体基材进行一预洗步骤。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中于该步骤(c)中，该热处理系为一退火处理或一快速退火处理。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中于该步骤(e)中，该导电层之材质包含钨。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中于该步骤(e)中，该导电层系透过该接触窗电性连接该导电区域。如申请专利范围第15项所述之内连线制程，其中于该步骤(e)之后更包括：进行一研磨步骤。 |
