发明名称 低熔点合金热界面材料及其应用之散热模组
摘要
申请公布号 TWI349352 申请公布日期 2011.09.21
申请号 TW096133111 申请日期 2007.09.05
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 范元昌;陈俊沐;苏健忠;翁震灼;黄振东;萧复元;林成全
分类号 H01L23/373 主分类号 H01L23/373
代理机构 代理人 翁仁滉 台北市大同区长安西路45之1号2楼之3
主权项 一种兼具有低热阻抗特性以及抑制热熔金属液相溢漏的低熔点合金热界面材料,其系由必要的铟(In)以及铋(Bi)、锡(Sn)、和锌(Zn)等元素之部份或全部组合而成,且熔解温度介于55℃至85℃之间,该低熔点合金热界面材料厚度范围介于0.015mm至0.04mm之间。如申请专利范围第1项所述之低熔点合金热界面材料,其中该低熔点合金热界面材料之较佳厚度范围介于0.015mm至0.03mm之间。一种散热模组,可使一电子元件运作时所产生的热能快速传导至外界环境,该散热模组包括:一散热器,设置于该电子元件上方;一厚度范围介于0.015mm至0.04mm之间的低熔点合金箔片,设置于该电子元件与该散热器之间,且作为该电子元件与该散热器间之热界面材料;以及一环形体,设置于该电子元件与该散热器之间,且环绕于该低熔点合金箔片之周缘。如申请专利范围第3项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片之较佳厚度范围介于0.015mm至0.03mm之间。如申请专利范围第3项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片的组成由必要的铟(In)以及铋(Bi)、锡(Sn)、和锌(Zn)等元素之部份或全部组合而成。如申请专利范围第5项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片系为一In-Bi-Sn合金或In-Bi-Sn-Zn合金或In-Bi合金。如申请专利范围第6项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片的组成更可包括至少一种非毒害环境元素,例如银、铜、钛、锗、铝、铈、镧或矽等元素。如申请专利范围第3项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片的熔点介于55℃至85℃之间。如申请专利范围第3项所述之散热模组,其中该环形体系为散热膏所构成。如申请专利范围第3项所述之散热模组,其中该环形体系为相变化散热贴片所构成。如申请专利范围第3项所述之散热模组,其中该环形体系为一黏弹性垫片。一种散热模组,可使一电子元件运作时所产生的热能快速传导至外界环境,该散热模组包括:一散热器,设置于该电子元件上方;以及一厚度范围介于0.015mm至0.04mm之间的低熔点合金箔片,设置于该电子元件与该散热器之间,且作为该电子元件与该散热器间之热界面材料。如申请专利范围第12项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片之较佳厚度范围介于0.015mm至0.03mm之间。如申请专利范围第12项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片的组成由必要的铟(In)以及铋(Bi)、锡(Sn)、和锌(Zn)等元素之部份或全部组合而成。如申请专利范围第14项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片系为一In-Bi-Sn合金或In-Bi-Sn-Zn合金或In-Bi合金。如申请专利范围第15项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片的组成更可再包括至少一种非毒害环境元素,例如银、铜、钛、锗、铝、铈、镧或矽等元素。如申请专利范围第12项所述之散热模组,其中该低熔点合金箔片的熔点介于55℃至85℃之间。一种散热模组,可使一发热元件所产生的热能快速传导至外界环境,该散热模组包括:一散热器,设置于该发热元件上方;一厚度范围介于0.015mm至0.04mm之间的低熔点合金箔片,设置于该发热元件与该散热器之间,且作为该发热元件与该散热器间之热界面材料;以及一环形体,设置于该发热元件与该散热器之间,且环绕于该低熔点合金箔片之周缘。一种散热模组,可使一发热元件运作时所产生的热能快速传导至外界环境,该散热模组包括:一散热器,设置于该发热元件上方;以及一厚度范围介于0.015mm至0.04mm之间的低熔点合金箔片,设置于该发热元件与该散热器之间,且作为该发热元件与该散热器间之热界面材料。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号