金氧半电晶体的制造方法、形成通道阻绝的方法以及半导体元件

主权项

一种金氧半电晶体的制造方法，包括：提供一基底；于该基底中形成一第一导电型井区；于该第一导电型井区之该基底上形成一闸极结构；于该闸极结构两侧之该基底中形成一第二导电型源极/汲极区；以及对该基底进行一第一导电型离子植入制程，该第一导电型离子植入制程穿透该闸极结构，于该第二导电型源极/汲极区下方之该基底中形成一第一导电型掺杂区，其中该第一导电型掺杂区的深度大于该第一导电型井区的深度。如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法，其中该基底中已形成有多个隔离结构，且该第一导电型井区设置于该些隔离结构之间的该基底中。如申请专利范围第2项所述之金氧半电晶体的制造方法，其中该第一导电型掺杂区延伸至该隔离结构下方之该基底中。如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法，其中该第一导电型离子植入制程之植入浓度介于1011~1012ions/cm2之间。如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法，其中该第一导电型离子植入制程之植入能量依据该闸极结构高度与该基底中该隔离结构深度而定。如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法，更包括于形成该第二导电型源极/汲极区的过程中，于该第二导电型源极/汲极区之中形成一第一导电型淡掺杂区。如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法，更包括于进行该第一导电型离子植入制程之后，于该第二导电型源极/汲极区顶部形成一第二导电型接点区。如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法，其中该第二导电型接点区之离子浓度大于该第二导电型源极/汲极区之离子浓度。如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。一种形成通道阻绝的方法，适用于一基底，该基底中已形成有多个隔离结构，且该些隔离结构之间形成有一高压元件，该高压元件包括一源极/汲极区，该方法包括：对该基底进行一离子植入制程，穿透该高压元件，于该源极/汲极区下方形成一轻掺杂区，其中，该离子植入制程的导电型与该源极/汲极区的导电型相反。如申请专利范围第10项所述之形成通道阻绝的方法，其中该轻掺杂区更包括延伸至该隔离结构下方之该基底中。如申请专利范围第10项所述之形成通道阻绝的方法，其中该轻掺杂区的深度大于该源极/汲极区的深度。如申请专利范围第10项所述之形成通道阻绝的方法，更包括于形成该高压元件之前，于该些隔离结构之间的该基底中形成一井区，该井区与该轻掺杂区具有相同的导电型。如申请专利范围第13项所述之形成通道阻绝的方法，其中该井区的深度小于该轻掺杂区的深度。如申请专利范围第10项所述之形成通道阻绝的方法，其中该高压元件包括高压金氧半电晶体。一种半导体元件，包括：一基底，该基底中已形成有多个隔离结构；一井区，设置于该些隔离结构之间的该基底中；一闸极结构，设置于该些隔离结构之间的该基底上；一源极/汲极区，设置于该闸极结构两侧之该井区中；以及一掺杂区，只设置于该源极/汲极区下方之该基底中，该掺杂区的深度大于该源极/汲极区、该井区的深度，且该掺杂区与该井区具有相同的导电型，与该源极/汲极区则具有相反的导电型。如申请专利范围第16项所述之半导体元件，其中该掺杂区延伸至该隔离结构下方之该基底中。如申请专利范围第16项所述之半导体元件，其中该闸极结构由下而上包括一闸介电层与一间极。如申请专利范围第18项所述之半导体元件，其中该闸极的材质包括多晶矽。如申请专利范围第18项所述之半导体元件，其中该闸极结构更包括一金属矽化物层，设置于该闸极上。