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一种助剂，系使用于研磨粒子同时抛光带阳离子电性材料及带阴离子电性材料之步骤，其被吸附到带阳离子电性材料上可因此防止带阳离子电性材料被抛光，导致提升对带阴离子电性材料的抛光选择性，其中该助剂包含具有核-壳构造以及小于研磨粒子之奈米级粒子尺寸之聚合物粒子，其表面系带阴离子电性。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中该聚合物粒子具有范围至高为-25mV之表面位能。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中该聚合物粒子具有一界面电位(zeta potential)，其极性与研磨粒子相同。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中该聚合物粒子之平均尺寸系为10nm至100nm。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其系用于化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing(CMP))研磨泥。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中具核-壳构造之该聚合物粒子具有一疏水性核以及一亲水性壳。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中该聚合物粒子系为球形。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中该聚合物粒子由至少一个选自包括羧酸基(-COOH)、磺酸根基以及氢氧根基(-OH)所组成之群组使带阴离子电性表面。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中该聚合物粒子由微乳化聚合反应步骤所制备。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其中表面带阴离子电性之该聚合物粒子与硷性物质反应形成盐类。根据申请专利范围第1项所述之助剂，其具有pH值系于4.5至8.8之范围内。一种化学机械抛光(CMP)研磨泥包括：a)根据申请专利范围第1至11项中任何一项所述之一助剂；b)研磨粒子；以及c)水。根据申请专利范围第12项所述之CMP研磨泥，包含0.1wt%至10wt%之该助剂；0.1wt%至10wt%之该研磨粒子；以及与100 wt%研磨泥总重量等量之水。根据申请专利范围第12项所述之CMP研磨泥，其中该研磨粒子尺寸具有平均尺寸为50nm至500nm的范围内。根据申请专利范围第12项所述之CMP研磨泥，该研磨粒子系至少一选自由矽，锆氧化物，钛氧化物和铈氧化物所组成之群组所制备。一种浅沟隔离(STI)步骤使用之化学机械抛光(CMP)研磨泥，其系根据申请专利范围第12项所定义。一种防止使用研磨粒子于抛光步骤中将带阳离子电性物质抛光之方法，系使用具有核-壳构造之聚合物粒子，其表面带阴离子电性，其中该聚合物粒子具有小于研磨粒子之奈米级颗粒尺寸。 |
