| 主权项 |
一种半导体装置，其包含：第1板状构件，其系包含高电阻之素材的板状构件，且在其中一面形成有电路者；第2板状构件，其系包含高电阻之素材的板状构件，且在其中一面形成有电路者；复数第1平板，其系配置于前述第1板状构件之形成有前述电路之面，且作为通信用之天线者；第1通信部，其系配置于前述第1板状构件之形成有前述电路之面，且经由前述第1平板进行通信者；复数第2平板，其系配置于前述第2板状构件之形成有前述电路之面，且作为通信用之天线者；及第2通信部，其系配置于前述第2板状构件之形成有前述电路之面，且经由前述第2平板进行通信者；前述第1板状构件及前述第2板状构件系配置为以各自之未形成前述电路之面相互对向。如请求项1之半导体装置，其中前述第1板状构件包含接受电力供应之焊线；前述第2板状构件包含接受电力供应之凸块。如请求项1之半导体装置，其中前述第1板状构件及前述第2板状构件系矽中介层，其体积电阻率为1 kΩcm以上。如请求项1之半导体装置，其中至少包含2组由前述第1板状构件及前述第2板状构件所构成之组合；其中一组的前述第1板状构件及前述第2板状构件中之一方之形成有前述电路之面与另一组的前述第1板状构件及前述第2板状构件中之一方之形成有前述电路之面系配置为相互对向；两者之间系设有通信用之凸块及电力供应用之凸块。 |
