发明名称 成型铸模及使用成型铸模以制造半导体装置之方法
摘要
申请公布号 TWI349342 申请公布日期 2011.09.21
申请号 TW093105947 申请日期 2004.03.05
申请人 日立电线股份有限公司 发明人 柴田明司;冈本章博;嶋崎洋典;小宫一元
分类号 H01L23/12 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种成型铸模,包括具预定形式之凹处的第一铸模以及第二扁平铸模,该成型铸模使该第一铸模置于具有多个开口并透过弹性材料承载有半导体晶片之布线板的表面上,该表面承载该半导体晶片,并使该第二铸模置于承载该半导体晶片之布线板的表面的背面上,以及利用绝缘树脂密封该半导体晶片的周边以及该布线板之该多个开口的至少一个开口,其中该第二铸模包括参考接触表面和从该参考接触表面突出的突出部;该突出部围绕在与该多个开口的至少一个开口重叠之区域的周围;且当该第一铸模和该第二铸模封闭时,该布线板被该突出部变形,以致该突出部和该布线板之间的接触度高于该参考接触表面和该布线板之间的接触度。一种制造半导体装置之方法,藉由用铸模之移转模密封一半导体晶片,藉由弹性材料将该半导体晶片承载于布线板上,该板包括具有多个开口在其上之绝缘基板,该基板上形成有导电图形,以及藉由密封该多个开口之至少一个开口,其中在该布线板之被安装有该半导体晶片之面的背面侧处使用一铸模,该铸模包括参考接触表面和从该参考接触表面突出的突出部;该突出部围绕在与该多个开口的至少一个开口重叠之区域的周围;且当绝缘树脂流入该铸模时,该布线板被该突出部变形,以致该突出部和该布线板之间的接触度高于该参考接触表面和该布线板之间的接触度。
地址 日本