| 主权项 |
一种制造触媒组合物之方法，其包括浸渍大孔隙沸石载体，该浸渍系使用铂前驱体和至少一种由式N(R)4F代表之有机氟化铵前驱体，及至少一种由式N(R)4Cl代表之有机氯化铵前驱体，其中R为具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，且各R可为相同或不同。根据申请专利范围第1项之方法，其中该大孔隙沸石为L-型沸石。根据申请专利范围第1项之方法，其中该大孔隙沸石为钾L-型沸石。根据申请专利范围第1项之方法，其中该R为烷基。根据申请专利范围第1项之方法，其中该R系选自由甲基、乙基、丙基、丁基及其组合所组成之群组。根据申请专利范围第1项之方法，其中该氟化物前躯体为氟化四甲铵。根据申请专利范围第6项之方法，其中该氯化物前躯体为氯化四甲铵。一种制造触媒组合物之方法，其包括用铂前驱体和至少一种有机卤化铵前驱体浸渍大孔隙沸石载体，其中该卤化铵前驱体系由式N(R)4X代表，其中X为卤素，R为具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，且各R可为相同或不同，且其中该卤化物前躯体进一步包括氯化铵。根据申请专利范围第6项之方法，其中该氯化物前驱体进一步包括氯化铵。根据申请专利范围第7项之方法，其中该氯化物前驱体进一步包括氯化铵。一种制造触媒组合物之方法，其包括用铂前驱体和至少一种有机卤化铵前驱体浸渍大孔隙沸石载体，其中该卤化铵前驱体系由式N(R)4X代表，其中X为卤素，R为具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，且各R可为相同或不同，且其中该卤化物前躯体进一步包含氟化铵。根据申请专利范围第6项之方法，其中该氟化物前驱体进一步包括氟化铵。根据申请专利范围第7项之方法，其中该氟化物前驱体进一步包括氟化铵。根据申请专利范围第8项之方法，其中该卤化物前驱体进一步包括氟化铵。根据申请专利范围第9项之方法，其中该氟化物前驱体进一步包括氟化铵。根据申请专利范围第10项之方法，其中该氟化物前驱体进一步包括氟化铵。根据申请专利范围第1项之方法，其中该铂前驱体系选自由四氯铂酸铵、氯铂酸、亚硝酸二胺铂(II)、氯化双(乙二胺)铂(II)、乙醯丙酮化铂(II)、二氯二胺铂、氯化铂(II)、氢氧化四胺铂(II)、硝酸四胺铂(II)及其组合所组成之群组。根据申请专利范围第1项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第6项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第7项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第8项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第9项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第10项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第11项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第12项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第13项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第14项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第15项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第16项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。一种制造触媒组合物之方法，其包括用铂前驱体和至少一种有机卤化铵前驱体浸渍大孔隙沸石载体，其中该卤化铵前驱体包括至少一种卤化酸及至少一种由式N(R')4OH代表之铵氢氧化物，其中R'为氢或具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，其中各R'可为相同或不同。根据申请专利范围第30项之方法，其中该大孔隙沸石为L-型沸石。根据申请专利范围第30项之方法，其中该大孔隙沸石为钾L-型沸石。根据申请专利范围第30项之方法，其中该R'为烷基。根据申请专利范围第30项之方法，其中该R'系选自由甲基、乙基、丙基、丁基及其组合所组成之群组。根据申请专利范围第30项之方法，其中该R'为甲基。根据申请专利范围第30项之方法，其中该卤化酸为HCl、HF、HBr、HI或其组合。根据申请专利范围第34项之方法，其中该卤化酸为HCl、HF或二者。根据申请专利范围第35项之方法，其中该卤化酸为HCl。根据申请专利范围第35项之方法，其中该卤化酸为HF。根据申请专利范围第30项之方法，其中该卤化物前驱体进一步包括氯化铵、氟化铵或二者。根据申请专利范围第37项之方法，其中该卤化物前驱体进一步包括氯化铵、氟化铵或二者。根据申请专利范围第31项之方法，其中该铂前驱体系选自由四氯铂酸铵、氯铂酸、亚硝酸二胺铂(II)、氯化双(乙二胺)铂(II)、乙醯丙酮化铂(II)、二氯二胺铂、氯化铂(II)、氢氧化四胺铂(II)、硝酸四胺铂(II)及其组合所组成之群组。根据申请专利范围第30项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第36项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第37项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第38项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第39项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。根据申请专利范围第41项之方法，其中该铂前驱体为氯化四胺铂。一种制造触媒组合物之方法，其包括用铂前驱体和至少一种有机卤化铵前驱体浸渍大孔隙沸石载体，其中该卤化铵前驱体系由式N(R)4X代表，其中X为卤素，R为具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，且各R可为相同或不同，且其中该卤化物前躯体进一步包括至少一种卤化酸及至少一种由式N(R')4OH代表之铵氢氧化物，其中R'为氢或具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，其中各R'可为相同或不同。根据申请专利范围第49项之方法，其中该大孔隙沸石为钾L-型沸石。根据申请专利范围第49项之方法，其中该R和R'系分别选自由甲基、乙基、丙基、丁基及其组合所组成之群组。根据申请专利范围第49项之方法，其中该X系选自由F、Cl、Br、I及其组合所组成之群组。根据申请专利范围第49项之方法，其中该卤化酸为HCl、HF或二者。根据申请专利范围第49项之方法，其中该卤化物前驱体进一步包括氯化铵、氟化铵或二者。根据申请专利范围第49项之方法，其中该铂前驱体系选自由四氯铂酸铵、氯铂酸、亚硝酸二胺铂(II)、氯化双(乙二胺)铂(II)、乙醯丙酮化铂(II)、二氯二胺铂、氯化铂(II)、氢氧化四胺铂(II)、氯化四胺铂(II)、硝酸四胺铂(II)及其组合所组成之群组。根据申请专利范围第1项之方法，其中该触媒包括小于约1.3重量%之氯。根据申请专利范围第30项之方法，其中该触媒包括小于约1.3重量%之氯。根据申请专利范围第1项之方法，其中该触媒包括小于约1.3重量%之氟。根据申请专利范围第30项之方法，其中该触媒包括小于约1.3重量%之氟。根据申请专利范围第1项之方法，其中该触媒包括小于约1.3重量%之氯及小于约1.3重量%之氟。根据申请专利范围第30项之方法，其中该触媒包括小于约1.3重量%之氯及小于约1.3重量%之氟。根据申请专利范围第1项之方法，其中该触媒包括在约0.2重量%至约0.7重量%范围之铂。根据申请专利范围第30项之方法，其中该触媒包括在约0.2重量%至约0.7重量%范围之铂。根据申请专利范围第1项之方法，其中该触媒包括小于约0.6重量%之铂、小于约1.3重量%之氯及小于约1.3重量%之氟。根据申请专利范围第30项之方法，其中该触媒包括小于约0.6重量%之铂、小于约1.3重量%之氯及小于约1.3重量%之氟。根据申请专利范围第1项之方法，其中该触媒具有小于约2.4℉/天之去活化速率及约875至约975℉之T60。根据申请专利范围第8项之方法，其中该触媒具有小于约2.4℉/天之去活化速率及约875至约975℉之T60。根据申请专利范围第30项之方法，其中该触媒具有小于约2.4℉/天之去活化速率及约875至约975℉之T60。根据申请专利范围第49项之方法，其中该触媒具有小于约2.4℉/天之去活化速率及约875至约975℉之T60。一种制造触媒组合物之方法，其包括：用铂前驱体、至少一种卤化酸和至少一种由式N(R')4OH代表之有机铵氢氧化物浸渍大孔隙沸石载体，其中R'为具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，其中各R'可为相同或不同。一种制造触媒组合物之方法，其包括：浸渍大孔隙沸石载体，该浸渍系使用铂前驱体和至少一种由式N(R)4F代表之有机氟化铵前驱体，及至少一种由式N(R)4Cl代表之有机氯化铵前驱体，其中R为具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，其中各R可为相同或不同。一种组合物，其系根据申请专利范围第1项之方法制造。一种使烃重整之方法，其包括使烃与一种触媒在使烃芳香烃化之适合反应条件下接触，其中该触媒系藉由一种方法形成，该方法包括浸渍大孔隙沸石载体，该浸渍系使用铂前驱体和至少一种由式N(R)4F代表之有机氟化铵前驱体，及至少一种由式N(R)4Cl代表之有机氯化铵前驱体，其中R为具有1-20个碳原子之经取代或未经取代碳链分子，且各R可为相同或不同。根据申请专利范围第73项之方法，其中该触媒具有小于约2.4℉/天之去活化速率及约875至约975℉之T60。根据申请专利范围第73项之方法，其进一步包括回收氢。根据申请专利范围第70项之方法，其进一步包括真空乾燥经浸渍的触媒载体。根据申请专利范围第71项之方法，其进一步包括真空乾燥经浸渍的触媒载体。根据申请专利范围第70项之方法，其进一步包括在具有稀氧含量的空气中煅烧经浸渍的触媒载体。根据申请专利范围第71项之方法，其进一步包括在具有稀氧含量的空气中煅烧经浸渍的触媒载体。根据申请专利范围第76项之方法，其进一步包括在具有稀氧含量的空气中煅烧经浸渍的触媒载体。根据申请专利范围第77项之方法，其进一步包括在具有稀氧含量的空气中煅烧经浸渍的触媒载体。 |
