| 主权项 |
一种包含过氧单硫酸氢钾稳定溶液之组合物，其具有1.0：1至1.6：1的SO5：SO4的重量比。如申请专利范围第1项之组合物，其具有大于1.2：1的SO5：SO4最低比率。如申请专利范围第1项之组合物，其具有大于1.3：1的SO5：SO4最低比率。一种包含过氧单硫酸氢钾溶液之组合物，该过氧单硫酸氢钾具有在一同等温度下等于2KHSO5．KHSO4．K2SO4完全溶解时之2KHSO5．KHSO4．K2SO4活性氧含量的1.5至5.5倍之最低活性氧含量。如申请专利范围第4项之组合物，其中该最低活性氧含量为2KHSO5．KHSO4．K2SO4完全溶解时之2KHSO5．KHSO4．K2SO4活性氧含量的1.5倍至3.4倍。如申请专利范围第1或4项之组合物，其进一步包含一选自由以下各物所组成之群的辅剂：为硫酸、磷酸或硝酸之无机酸，C1至C4有机酸，表面活性剂，安定剂及蚀刻速率调节剂。如申请专利范围第1或4项之组合物，其进一步包含微蚀刻溶液。如申请专利范围第1或4项之组合物，其进一步包含化学机械研磨浆料。一种用于制备如申请专利范围第1或4项之过氧单硫酸氢钾溶液之方法，其包含：a)将2KHSO5．KHSO4．K2SO4固体与不足以完全溶解该固体的量的水混合；b)混合形成平衡之浆料；及c)分离未溶解的固体以获得溶液。如申请专利范围第9项之方法，其中在20℃将至少52克盐与100克水混合。如申请专利范围第9项之方法，其中该水为去离子水。如申请专利范围第9项之方法，其进一步包含：在分离未溶解固体后，添加一选自由下列各物所组成之群的辅剂：为硫酸、磷酸或硝酸之无机酸，C1至C4有机酸，表面活性剂，安定剂及蚀刻速率调节剂。一种微蚀刻一表面的改良方法，其中该改良处包含：使待蚀刻之该表面与具有大于1.0：1之SO5：SO4最低重量比率的过氧单硫酸氢钾溶液接触。如申请专利范围第13项之方法，其中该溶液具有大于1.5：1之SO5：SO4最低重量比率。如申请专利范围第13项之方法，其中该待蚀刻之表面为一金属。如申请专利范围第13项之方法，其中该待蚀刻之表面为一涂布有金属之半导体或印刷线路板。如申请专利范围第13项之方法，其中该待蚀刻之表面系包有铜或铜合金。如申请专利范围第13项之方法，其中该溶液具有每千克溶液至少15克铜的铜装载能力。 |
