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一种矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，系至少包含下列步骤：(A)取一太阳电池；以及(B)利用物理或化学方法进行抗反射薄膜制程，将氮化矽或氧化矽或氮化矽/氧化矽多层薄膜，被覆在该太阳电池结构最上层之抗反射层中，于合成制程中调节矽/氮原子比例及矽/氧原子比例，设定制程温度范围，获得丰矽薄膜，较丰之矽原子将经由退火制程及相分离机制而析出，形成不等尺寸大小之矽量子点分布在氮化矽或氧化矽或氮化矽/氧化矽多层薄膜抗反射层中，以获得一具有矽量子点分布之氮化矽或氧化矽或氮化矽/氧化矽多层薄膜抗反射层。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该太阳电池系可为传统单晶矽太阳电池、多晶矽太阳电池、薄膜型矽基太阳电池、Ⅲ-V族化合物太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物太阳电池或其他任何型式之太阳电池。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该物理或化学方法系可为电浆辅助化学气相沈积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、微波电浆触媒辅助电子回旋共振化学气相沉积法(Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition,ECR-CVD)、甚高频化学气相沈积法(Very High Frequency Chemical Vapor Deposition,VHF-CVD)、热灯丝化学气相沉积(Hot Wire Chemical Vapor Deposition,HWCVD)、电子枪真空蒸镀(E-gun)或溅镀(Sputtering)。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该氮化矽或氧化矽或氮化矽/氧化矽多层薄膜之矽原料来源系为四氢化矽(Silicon Hydride,SiH4)及二氯矽甲烷(Dichlorosilane,SiH2Cl2)。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该氮化矽或氧化矽或氮化矽/氧化矽多层薄膜之氮原料来源系为氮气(N2)及氨气(NH3)。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该氮化矽或氧化矽或氮化矽/氧化矽多层薄膜之氧原料来源系为氧气(O2)及一氧化二氮(Nitrous Oxide,N2O)。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该步骤(B)矽/氮原子比例系大于3/4。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该步骤(B)矽/氧原子比例系大于1/2。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该步骤(B)制程温度范围系为100℃~400℃。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该步骤(B)退火制程温度范围系为500℃~900℃。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该氮化矽系为四氮化三矽(Silicon Nitride,Si3N4)。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该氧化矽系为二氧化矽(Silicon Dioxide,SiO2)。依据申请专利范围第1项所述之矽量子点抗反射层全光谱太阳电池之制备方法，其中，该矽量子点之尺寸大小系为1~10奈米(nm)。 |
