| 主权项 |
一种双触发型矽控整流器(dual triggered silicon controlled rectifier，DTSCR)，包含有：一半导体基底；一井区，设置于该半导体基底中；一第一N+扩散区域以及一第一P+扩散区域，设置于该半导体基底内，用于作为该双触发型矽控整流器之一第一电极；一第二N+扩散区域以及一第二P+扩散区域，设置于该井区内，用于作为该双触发型矽控整流器之一第二电极；一第三P+扩散区域，设置于该双触发型矽控整流器之一侧并且横跨于部分之该井区以及该半导体基底之间；一第三N+扩散区域，设置于该双触发型矽控整流器之另一侧并且横跨于部分之该井区以及该半导体基底之间；一第一闸极，设置于该第二P+扩散区域与该第三P+扩散区域之间的该井区之表面上方，用于作为该双触发型矽控整流器之一P型触发点(trigger node)，以接收一第一触发电流或一第一触发电压；以及一第二闸极，设置于该第一N+扩散区域与该第三N+扩散区域之间的该半导体基底之表面上方，用于作为该双触发型矽控整流器之一N型触发点，以接收一第二触发电流或一第二触发电压。如申请专利范围第1项之双触发型矽控整流器，其中该半导体基底系为一P型半导体基底，以及该井区系为一N井(N-well)，并且该第一电极系为一阴极，以及该第二电极系为一阳极。如申请专利范围第2项之双触发型矽控整流器，另包含有：一第四N+扩散区域，设置于该P型半导体基底内，用于作为该双触发型矽控整流器之该阴极；以及一第四P+扩散区域，设置于该N井内，用于作为该双触发型矽控整流器之该阳极。如申请专利范围第1项之双触发型矽控整流器，其系应用于一电气熔丝调整电路(trim-fuse circuit)中。一种双触发型矽控整流器(dual triggered silicon controlled rectifier，DTSCR)，包含有：一半导体基底；一井区，设置于该半导体基底中；一第一N+扩散区域以及一第一P+扩散区域，设置于该半导体基底内，用于作为该双触发型矽控整流器之一第一电极；一第二N+扩散区域以及一第二P+扩散区域，设置于该井区内，用于作为该双触发型矽控整流器之一第二电极；一第三P+扩散区域，设置于该双触发型矽控整流器之一侧并且横跨于部分之该井区以及该半导体基底之间；一第三N+扩散区域，设置于该双触发型矽控整流器之另一侧并且横跨于部分之该井区以及该半导体基底之间；一第一闸极，设置于该第一P+扩散区域与该第三P+扩散区域之间的该半导体基底之表面上方，用于作为该双触发型矽控整流器之一P型触发点(trigger node)，以接收一第一触发电流或一第一触发电压；以及一第二闸极，设置于该第二N+扩散区域与该第三N+扩散区域之间的该井区之表面上方，用于作为该双触发型矽控整流器之一N型触发点，以接收一第二触发电流或一第二触发电压。如申请专利范围第5项之双触发型矽控整流器，其中该半导体基底系为一N型半导体基底，以及该井区系为一P井(P-well)，并且该第一电极系为一阳极，以及该第二电极系为一阴极。如申请专利范围第6项之双触发型矽控整流器，另包含有：一第四P+扩散区域，设置于该半导体基底内，用于作为该双触发型矽控整流器之该阳极；以及一第四N+扩散区域，设置于该P井内，用于作为该双触发型矽控整流器之该阴极。如申请专利范围第5项之双触发型矽控整流器，其系应用于一电气熔丝调整电路(trim-fuse circuit)中。一种双触发型矽控整流器(dual triggered silicon controlled rectifier，DTSCR)，包含有：一半导体基底；一N井(N-well)，设置于该半导体基底中；一P井(P-well)，设置于该半导体基底中并且相邻于该N井；一第一N+扩散区域以及一第一P+扩散区域，设置于该P井内，用于作为该双触发型矽控整流器之一阴极；一第二N+扩散区域以及一第二P+扩散区域，设置于该N井内，用于作为该双触发型矽控整流器之一阳极；一第三P+扩散区域，设置于该双触发型矽控整流器之一侧并且横跨于部分之该N井以及该P井之间；一第三N+扩散区域，设置于该双触发型矽控整流器之另一侧并且横跨于部分之该N井以及该P井之间；一第一闸极，设置于该第二P+扩散区域与该第三P+扩散区域之间的该N井之表面上方，用于作为该双触发型矽控整流器之一P型触发点(trigger node)，以接收一第一触发电流或一第一触发电压；以及一第二闸极，设置于该第一N+扩散区域与该第三N+扩散区域之间的该P井之表面上方，用于作为该双触发型矽控整流器之一N型触发点，以接收一第二触发电流或一第二触发电压。如申请专利范围第9项之双触发型矽控整流器，另包含有：一第四N+扩散区域，设置于该P井内，用于作为该双触发型矽控整流器之该阴极；以及一第四P+扩散区域，设置于该N井内，用于作为该双触发型矽控整流器之该阳极。如申请专利范围第9项之双触发型矽控整流器，其中该半导体基底系为一P型半导体基底或一N型半导体基底。如申请专利范围第9项之双触发型矽控整流器，其系应用于一电气熔丝调整电路(trim-fuse circuit)中。 |
