| 主权项 |
一种用于程式化一组非挥发储存元件的方法，其包括：隔离和该等非挥发储存元件相关联的至少三个通道区，其中第一通道区与第二通道区靠近一被选择的储存元件，而第三通道区则远离该被选择的储存元件；提升每一个通道区的电位，其中该第三通道区的电位系利用低于该等第一与第二通道区之电位的昇压电压来提升。如请求项1之方法，其中该等第一与第二通道区之电位系利用第一昇压电压来提升，而该第三通道区的电位系利用第二昇压电压来提升。如请求项2之方法，其中该第一昇压电压略大于该第二昇压电压。如请求项3之方法，其中该第一昇压电压约比该第二昇压电压大一至二伏特。如请求项1之方法，其中该等第一与第二通道区系位于该被选择的储存元件的相反侧上。如请求项5之方法，其中该等第一与第二通道区之电位系利用第一昇压电压来提升，而该第三通道区的电位系利用第二昇压电压来提升，且其中该第一昇压电压略大于该第二昇压电压。如请求项5之方法，其进一步包括：使用第三昇压电压来提升该第一通道区的电位，使用第一昇压电压来提升该第二通道区的电位，以及使用第二昇压电压来提升该第三通道区的电位，其中该第三昇压电压大于该第一昇压电压，且该第一昇压电压大于该第二昇压电压。如请求项7之方法，其中该第三昇压电压略大于该第一昇压电压。如请求项8之方法，其中该第三昇压电压约比该第一昇压电压大一至二伏特。如请求项7之方法，其进一步包括：隔离一第四通道区，其中该第四通道区远离该被选择的储存元件并且系位于该第三通道区旁边，且其中该第三通道区系位于该第一通道区旁边；使用第二昇压电压来提升该第四通道区的电位。如请求项10之方法，其进一步包括：使用第三昇压电压来提升该第一通道区的电位，其中该第三昇压电压大于该第一昇压电压。如请求项1之方法，其中该隔离步骤包含：施加一隔离电压至位于该被选择的储存元件近端的第一储存元件且施加至位于该被选择的储存元件远端的第二储存元件。如请求项12之方法，其中该隔离步骤进一步包含：施加一间极保护电压至正好位于该第一储存元件旁边的第三储存元件且施加至正好位于该第二储存元件旁边的第四储存元件。如请求项12之方法，其中该隔离步骤进一步包含：施加一闸极保护电压至正好位于该第一储存元件之相反侧上旁边的第三与第四储存元件且施加至正好位于该第二储存元件之相反侧上旁边的第五与第六储存元件。如请求项12之方法，其中该等昇压步骤包含：施加该第一昇压电压至位于和该等第一与第二通道区相对应处的储存元件，以及施加该第二昇压电压至位于和该第三通道区相对应处的储存元件。一种用于程式化一组非挥发储存元件的系统，其包括：复数个非挥发储存元件；一管理电路，其会与该等储存元件相通，其中该管理电路会隔离和该等非挥发储存元件相关联的至少三个通道区，其中第一通道区与第二通道区靠近一被选择的储存元件，而第三通道区则远离该被选择的储存元件，并且会提升每一个通道区的电位，其中该第三通道区的电位系利用低于该等第一与第二通道区之电位的昇压电压来提升。如请求项16之系统，其中该等第一与第二通道区之电位系由该管理电路利用第一昇压电压来提升，而该第三通道区的电位系利用第二昇压电压来提升。如请求项17之系统，其中该第一昇压电压略大于该第二昇压电压。如请求项18之系统，其中该第一昇压电压约比该第二昇压电压大一至二伏特。如请求项16之系统，其中该等第一与第二通道区系位于该被选择储存元件的相反侧上。如请求项20之系统，其中该等第一与第二通道区之电位系由该管理电路利用第一昇压电压来提升，而该第三通道区的电位系由该管理电路利用第二昇压电压来提升，且其中该第一昇压电压略大于该第二昇压电压。如请求项20之系统，其中该管理电路会利用第三昇压电压来提升该第一通道区的电位，利用第一昇压电压来提升该第二通道区的电位，利用第二昇压电压来提升该第三通道区的电位，其中该第三昇压电压大于该第一昇压电压且该第一昇压电压大于该第二昇压电压。如请求项22之系统，其中该第三昇压电压略大于该第一昇压电压。如请求项23之系统，其中该第三昇压电压约比该第一昇压电压大一至二伏特。如请求项20之系统，其中该管理电路会进一步隔离一第四通道区，并且使用第二昇压电压来提升该第四通道区的电位；其中该第四通道区远离该被选择的储存元件并且系位于该第三通道区旁边，且其中该第三通道区系位于该第一通道区旁边。如请求项25之系统，其中该管理电路会进一步使用第三昇压电压来提升该第一通道区的电位，其中该第三昇压电压大于该第一昇压电压。如请求项16之系统，其中该管理电路会施加一隔离电压至位于该被选择的储存元件近端的第一储存元件且施加至位于该被选择的储存元件远端的第二储存元件。如请求项27之系统，其中该管理电路会施加一闸极保护电压至正好位于该第一储存元件旁边的第三储存元件且施加至正好位于该第二储存元件旁边的第四储存元件。如请求项27之系统，其中该管理电路会施加一闸极保护电压至正好位于该第一储存元件之相反侧上旁边的第三与第四储存元件且施加至正好位于该第二储存元件之相反侧上旁边的第五与第六储存元件。如请求项27之系统，其中该管理电路会施加该第一昇压电压至位于和该等第一与第二通道区相对应处的储存元件，以及施加该第二昇压电压至位于和该第三通道区相对应处的储存元件。 |
