发明名称 高频表面声波元件
摘要
申请公布号 TWI349434 申请公布日期 2011.09.21
申请号 TW097125872 申请日期 2008.07.09
申请人 大同股份有限公司 台北市中山区中山北路3段22号;大同大学 发明人 施文钦;黄瑞成
分类号 H03H9/25 主分类号 H03H9/25
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 一种高频表面声波元件,包括:一压电基板;一高声速层,系形成于该压电基板之表面,且该高声速层之表面声波声速系大于5000 m/sec;一输入转换部;以及一输出转换部;其中,该输入转换部与该输出转换部系成对地设置于该高声速层之表面,且该高声速层之材质为氧化铝。如申请专利范围第1项所述之高频表面声波元件,其中该压电基板之材质为铌酸锂、石英、钽酸锂、砷化镓或兰克赛。如申请专利范围第1项所述之高频表面声波元件,其中该高声速层之厚度系介于2 μm至20 μm之间。如申请专利范围第1项所述之高频表面声波元件,其中该高声速层系以电子束蒸镀的方式形成于该压电基板之表面。如申请专利范围第1项所述之高频表面声波元件,其中该输入转换部及该输出转换部分别为一交叉指状电极。如申请专利范围第1项所述之高频表面声波元件,其中该输入转换部及该输出转换部之材质为铝。一种高频表面声波元件,包括:一压电基板;一高声速层,系形成于该压电基板之表面,且该高声速层之表面声波声速系大于5000 m/sec;一输入转换部;以及一输出转换部;其中,该输入转换部与该输出转换部系成对地设置于该压电基板之表面,且该高声速层覆盖介于该输入转换部与该输出转换部之间之压电基板部分表面,该高声速层之材质为氧化铝。如申请专利范围第7项所述之高频表面声波元件,其中该压电基板之材质为铌酸锂、石英、钽酸锂、砷化镓或兰克赛。如申请专利范围第7项所述之高频表面声波元件,其中该高声速层之厚度系介于2 μm至20 μm之间。如申请专利范围第7项所述之高频表面声波元件,其中该高声速层系以电子束蒸镀的方式沈积于该压电基板之表面。如申请专利范围第7项所述之高频表面声波元件,其中该高声速层更覆盖该输入转换部之部分表面。如申请专利范围第7项所述之高频表面声波元件,其中该高声速层更覆盖该输出转换部之部分表面。如申请专利范围第7项所述之高频表面声波元件,其中该输入转换部及该输出转换部分别为一交叉指状电极。如申请专利范围第7项所述之高频表面声波元件,其中该输入转换部及该输出转换部之材质为铝。
地址 台北市中山区中山北路3段40号