| 主权项 |
一种含有有机半导体化合物之溶液，其特征在于具有至少一溶剂及作为安定剂之至少一硷性化合物，其中该溶剂具有能让至少100 ppm之有机半导体化合物溶于该溶剂的溶解性，且其中该硷性化合物为-一级、二级或三级胺、硷性芳族或脂族杂环化合物或二或多种此等化合物之混合物；或-硷金属或硷土金属氢氧化物、硷金属或硷土金属碳酸盐、弱酸之硷金属或硷土金属盐或二或多种此等化合物之混合物或含有硷性基团之聚合物。如申请专利范围第1项之溶液，其特征在于该硷性化合物具沸点为至多260℃。如申请专利范围第1或2项之溶液，其特征在于该硷性化合物为视情况经取代的芳族或视情况经取代的饱和或不饱和脂族杂环化合物，其具有5至20个环碳原子及1至3个选自由氮、氧及硫组成之群之相同或不同的环杂原子，或通式(I)之化合物HxN(R1,2,3)3-x(I)其中x为0、1或2，R1,2,3为一、二或三个相同的或不同的R1、R2、R3基团，R1、R2、R3为相同或不同，且每一为视情况经取代之线型或分支链的C1-C20-烷基、C1-C20-环烷基或C1-C20-芳基。如申请专利范围第1或2项之溶液，其特征在于该有机半导体化合物为通式(II)之化合物@sIMGTIF!d10009.TIF@eIMG!其中n为整数4至100,000，R4a、R4b每一独立地为H或C1-C20-烷基基团，其系视情况由一或多个氧或硫原子、亚矽烷基、膦醯基或磷醯基基团中断，且Ar为视情况经取代的1,4-伸苯基、2,7-茀或2,5-噻吩，Ar可相同或不同。如申请专利范围第1项之溶液，其特征在于该有机半导体化合物为通式(II-a)之化合物@sIMGTIF!d10010.TIF@eIMG!其中n为整数4至100,000，R4a、R4b每一独立地为H或C1-C20-烷基基团，其系视情况由一或多个氧或硫原子、亚矽烷基、膦醯基或磷醯基基团中断，且R5、R6每一独立地为H或视情况经取代的C1-C20-烷基基团、视情况经取代的C1-C20-烷氧基基团或一起形成视情况经取代的C1-C6-二氧基伸烷基基团。如申请专利范围第5项之溶液，其特征在于n为整数4至100。如申请专利范围第5或6项之溶液，其特征在于n为整数4至10。如申请专利范围第5或6项之溶液，其特征在于R4a及R4b每一独立地为C1-C12-烷基基团。如申请专利范围第5或6项之溶液，其特征在于R5及R6每一独立地为H或C1-C6-烷基基团。如申请专利范围第1或2项之溶液，其特征在于具有作为溶剂之卤化的芳族或脂族化合物、含有醚或酮基团之芳族或脂族化合物或二或多种此等化合物之混合物。如申请专利范围第1或2项之溶液，其特征在于具有作为溶剂之氯仿、甲苯、氯苯或1,2,4-三氯苯。一种如申请专利范围第1或2项之溶液之用途，其系用于制造半导体层。一种具有通式(II)化合物之层体@sIMGTIF!d10011.TIF@eIMG!其中n、Ar、R4a及R4b系定义如申请专利范围第4项，其特征在于系制自如申请专利范围第1或2项中至少一项之溶液且为半导体的。如申请专利范围第13项之层体，其包含通式(II-a)之化合物@sIMGTIF!d10012.TIF@eIMG!其中n、R4a、R4b、R5及R6系定义如申请专利范围第5项，其特征在于系制自如申请专利范围第1或2项之溶液且为半导体的。一种如申请专利范围第14项之层体之用途，其系用作主动及发光电子元件中之半导体，该电子元件系为场效电晶体、有机电致发光二极体、光电池、雷射或传感器。 |
