| 主权项 |
一种用于一电子装置之静电防护装置，包含有：一第一放电装置，包含有一第一端耦接于该电子装置之一第一电源端及该电子装置之一控制电路，及一第二端耦接于一地端，用来提供该第一电源端及该地端之间之一第一静电放电路径；一第二放电装置，耦接于该第一电源端、该第一放电装置及该控制电路；以及一第三放电装置，耦接于该第二放电装置及该电子装置之一第二电源端之间；其中，该第二放电装置及该第三放电装置用来提供该第一电源端及该第二电源端之间之一第二静电放电路径，并于该第一电源端领先该第二电源端供电时，防止电流由该第一电源端倒灌至该第二电源端。如请求项1所述之静电防护装置，其中该第一放电装置系一n型金氧半导体电晶体，其汲极耦接于该第一电源端及该控制电路，闸极及源极耦接于该地端。如请求项1所述之静电防护装置，其中该第二放电装置系一n型金氧半导体电晶体，其汲极耦接于该第一电源端、该第一放电装置及该控制电路，闸极耦接于源极。如请求项3所述之静电防护装置，其中该第三放电装置系一p型金氧半导体电晶体，其汲极耦接于该n型金氧半导体电晶体之闸极及源极，闸极及源极耦接于该第二电源端。如请求项3所述之静电防护装置，其中该第三放电装置系一二极体，其正极耦接于该n型金氧半导体电晶体之闸极及源极，负极耦接于该第二电源端。如请求项1所述之静电防护装置，其中该第二放电装置系一第一p型金氧半导体电晶体，其闸极及源极耦接于该第一电源端、该第一放电装置及该控制电路。如请求项6所述之静电防护装置，其中该第三放电装置系一第二p型金氧半导体电晶体，其汲极耦接于该第一p型金氧半导体电晶体之汲极，闸极及源极耦接于该第二电源端。如请求项6所述之静电防护装置，其中该第三放电装置系一二极体，其正极耦接于该第一p型金氧半导体电晶体之汲极，负极耦接于该第二电源端。 |
