| 主权项 |
一种半导体装置，其特征为其系可搭载散热构件者，且包含：基板；半导体晶片，其系以表面朝下之状态安装于前述基板者；封装树脂，其系成型于前述半导体晶片之周围者；及相变化部，其系以可与前述散热构件作热性连接之方式设置于前述半导体晶片之背面，于前述半导体晶片之动作温度熔融并由前述散热构件之荷重较高之位置往前述散热构件之荷重较低之位置流动，且具有高导热性者，其中前述半导体晶片之背面较前述封装树脂之上面为低，于以前述半导体晶片之背面与前述封装树脂所形成之凹部形成前述相变化部。如请求项1之半导体装置，其中前述相变化部系从由Ga、In及Sn所成之群中选出之1种以上的低熔点金属、或含有前述1种以上之低熔点金属的合金。一种半导体装置之制造方法，其特征为包含如下步骤：将表面朝下之半导体晶片于设有布线图案之基板作覆晶安装；在使前述半导体晶片之背面露出之状态下，将封装树脂层以上面高于前述半导体晶片之背面之方式成型于前述半导体晶片之周围；将于前述半导体晶片之动作温度熔融并可由前述散热构件之荷重较高之位置往前述散热构件之荷重较低之位置流动、且具有高导热性之材料涂布于以前述半导体晶片之背面与前述封装树脂所形成之凹部；及将前述材料加热使之熔融。如请求项3之半导体装置之制造方法，其中前述材料系从由Ga、In及Sn所成之群中所选出之1种以上的低熔点金属、或含有前述1种以上之低熔点金属的合金。 |
