发明名称 记忆体及其1位元读取错误检测方法
摘要
申请公布号 TWI349290 申请公布日期 2011.09.21
申请号 TW096130066 申请日期 2007.08.14
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 廖惇雨;黄世昌
分类号 G11C7/24 主分类号 G11C7/24
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 一种记忆体资料之1位元读取错误检测方法,包括:接收至少一笔资料片段,该至少一笔资料片段之大小系为2n位元,n为大于或等于0之整数;依据该至少一笔资料片段产生一错误修正码、一同位元检查码及一资料码,该资料码系相对应于该错误修正码;将该至少一笔资料片段、该错误修正码、该同位元检查码及该资料码写入于一记忆体;从该记忆体读取该至少一笔资料片段为至少一笔读取资料片段,该至少一笔读取资料片段之大小系为2n位元;依据该至少一笔读取资料片段产生一新错误修正码、一新同位元检查码及一新资料码,该新资料码系相对应于该新错误修正码;依据该错误修正码及该新错误修正码、该同位元检查码及该新同位元检查码,以及该资料码及该新资料码,判断该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段是否具有1位元错误;以及若该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段不具有1位元错误,则输出该至少一笔读取资料片段。如申请专利范围第1项所述之记忆体资料之1位元读取错误检测方法,其中,当该错误修正码及该新错误修正码为错误修正同位位元时,该资料码系为该至少一笔资料片段之最低位元,该新资料码系为该至少一笔读取资料片段之最低位元。如申请专利范围第1项所述之记忆体资料之1位元读取错误检测方法,其中,当该错误修正码及该新错误修正码为错误修正同位位元之补数时,该资料码系为该至少一笔资料片段之最高位元,该新资料码系为该至少一笔读取资料片段之最高位元。如申请专利范围第1项所述之记忆体资料之1位元读取错误检测方法,其中,判断该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段是否具有1位元错误之步骤更包括:当依据该错误修正码及该新错误修正码判断该至少一笔读取资料片段具有1位元错误,且依据该同位元检查码及该新同位元检查码判断该至少一笔读取资料片段具有1位元错误,则依据该错误修正码及该新错误修正码修正该1位元错误。如申请专利范围第1项所述之记忆体资料之1位元读取错误检测方法,其中,判断该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段是否具有1位元错误之步骤更包括:当依据该错误修正码及该新错误修正码判断该至少一笔读取资料片段具有1位元错误,但依据该同位元检查码及该新同位元检查码判断该至少一笔读取资料片段不具有1位元错误,则该错误修正码及该新错误修正码被视为产生错误,该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段不具有1位元错误。如申请专利范围第1项所述之记忆体资料之1位元读取错误检测方法,其中,判断该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段是否具有1位元错误之步骤更包括:当依据该错误修正码及该新错误修正码判断该至少一笔读取资料片段不具有1位元错误,但依据该同位元检查码及该新同位元检查码判断该至少一笔读取资料片段具有1位元错误,则检视该资料码及该新资料码,当依据该资料码及该新资料码判断该至少一笔读取资料片段具有1位元错误,则修正该1位元错误。如申请专利范围第1项所述之记忆体资料之1位元读取错误检测方法,其中,判断该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段是否具有1位元错误之步骤更包括:当依据该错误修正码及该新错误修正码判断该至少一笔读取资料片段不具有1位元错误,且依据该资料码及该新资料码判断该至少一笔读取资料片段不具有1位元错误,但依据该同位元检查码及该新同位元检查码判断该至少一笔读取资料片段具有1位元错误,则该同位元检查码及该新同位元检查码被视为产生错误,该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段不具有1位元错误。如申请专利范围第1项所述之记忆体资料之1位元读取错误检测方法,其中,判断该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段是否具有1位元错误之步骤更包括:当依据该错误修正码及该新错误修正码判断该至少一笔读取资料片段不具有1位元错误,且依据该同位元检查码及该新同位元检查码判断该至少一笔读取资料片段不具有1位元错误,但依据该资料码及该新资料码判断该至少一笔读取资料片段具有1位元错误,则该资料码及该新资料码被视为产生错误,该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段不具有1位元错误。一种记忆体,包括:一记忆单元阵列,系用以接收并储存至少一笔资料片段,该记忆体从该记忆单元阵列读取该至少一笔资料片段为至少一笔读取资料片段,该至少一笔资料片段及该至少一笔读取资料片段之大小系为2n位元,n为大于或等于0之整数;以及一错误修正电路,系依据该至少一笔资料片段产生一错误修正码、一同位元检查码及一资料码,该资料码系相对应于该错误修正码,且依据该至少一笔读取资料片段产生一新错误修正码、一新同位元检查码及一新资料码,该新资料码系相对应于该新错误修正码;其中,该记忆体利用该错误修正码及该新错误修正码、该同位元检查码及该新同位元检查码,以及该资料码及该新资料码,判断该至少一笔读取资料片段相对于该至少一笔资料片段是否具有1位元错误。如申请专利范围第9项所述之记忆体,其中,当该错误修正码及该新错误修正码为错误修正同位位元时,该资料码系为该至少一笔资料片段之最低位元,该新资料码系为该至少一笔读取资料片段之最低位元。如申请专利范围第9项所述之记忆体,其中,当该错误修正码及该新错误修正码为错误修正同位位元之补数时,该资料码系为该至少一笔资料片段之最高位元,该新资料码系为该至少一笔读取资料片段之最高位元。
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