| 主权项 |
一种半导体发光元件，其包含：发光区域，其含有InAlGaN半导体层；第一AlX1Ga1-X1N半导体(0≦X1≦1)层，其添加有p型掺杂剂；及第二AlX2Ga1-X2N半导体(0≦X2≦1)层，其含有大于上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层之铝组成的铝组成；上述第二AlX2Ga1-X2N半导体(0≦X2≦1)层设置于上述InAlGaN半导体层与上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层之间；上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层之p型掺杂剂浓度小于上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层之p型掺杂剂浓度。如请求项1之半导体发光元件，其中上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层之厚度为5奈米以上。如请求项1或2之半导体发光元件，其中上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层系形成作为非掺杂层。一种半导体发光元件，其包含：发光区域，其含有InAlGaN半导体层；第一AlX1Ga1-X1N半导体(0≦X1≦1)层，其添加有p型掺杂剂；及第二AlX2Ga1-X2N半导体(0≦X2≦1)层，其具有小于上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层之p型掺杂剂浓度的p型掺杂剂浓度；上述第二AlX2Ga1-X2N半导体(0≦X2≦1)层设置于上述InAlGaN半导体层与上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层之间；上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层系形成作为非掺杂层。如请求项4之半导体发光元件，其中于上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层上存在有p型掺杂剂浓度为3×1018cm-3以下之区域；该区域之厚度为1奈米以上。如请求项1、2、4或5之半导体发光元件，其中上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层含有p型掺杂剂之镁；上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层含有镁浓度大于1×1019cm-3之区域。如请求项1、2、4或5之半导体发光元件，其中上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层含有p型掺杂剂之镁；于上述发光区域与上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层之边界之镁浓度小于3×1018cm-3。如请求项1、2、4或5之半导体发光元件，其中上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层之p型掺杂剂浓度最大值为1×1020cm-3以上；于上述发光区域与上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层之边界之p型掺杂剂浓度为3×1018cm-3以下。如请求项1、2、4或5之半导体发光元件，其中进而包含含有III族氮化物之支持基体；上述发光区域、上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层以及上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层设置于上述支持基体上。如请求项6之半导体发光元件，其中进而包含含有III族氮化物之支持基体；上述发光区域、上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层以及上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层设置于上述支持基体上。如请求项7之半导体发光元件，其中进而包含含有III族氮化物之支持基体；上述发光区域、上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层以及上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层设置于上述支持基体上。如请求项8之半导体发光元件，其中进而包含含有III族氮化物之支持基体；上述发光区域、上述第一AlX1Ga1-X1N半导体层以及上述第二AlX2Ga1-X2N半导体层设置于上述支持基体上。一种方法，其系制造如请求项1至12中任一项之半导体发光元件，且包含：形成发光区域所用之非掺杂InAlGaN半导体膜之步骤；于上述InAlGaN半导体膜上形成非掺杂AlX2Ga1-X2N半导体(0≦X2≦1)膜之步骤；及于上述非掺杂AlX2Ga1-X2N半导体膜上形成p型AlX1Ga1-X1N半导体(0≦X1≦1)膜及一个或复数个氮化镓系半导体膜，藉此使上述p型AlX1Ga1-X1N半导体膜之p型掺杂剂扩散至上述非掺杂AlX2Ga1-X2N半导体膜之步骤。 |
