发明名称 适用于低电压运作的温度感应电路
摘要
申请公布号 TWI349437 申请公布日期 2011.09.21
申请号 TW097117096 申请日期 2008.05.09
申请人 震一科技股份有限公司 发明人 戴枝德
分类号 H03K19/0944 主分类号 H03K19/0944
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 一种温度感应电路,包含:一温度感应单元,由复数个PMOS电晶体和PNP双极电晶体所组成,主要连接到欲侦测电路之一输出电流端以及一Vdd电压,具有透过电压来感应电路温度的功能;一温度门槛控制单元,由至少一PMOS电晶体及复数个NMOS电晶体所组成,主要提供该温度感应单元在检测到过温时,过温警告讯号能一直启动直到温度降到一定值;以及一跨导放大器,由复数个PMOS及NMOS电晶体和一反闸所组成,主要提供电压比较的功能,但能使温度感应电路能适用于低电压运作。如申请专利范围第1项所述之温度感应电路,其中该温度感应单元可由一第一PMOS电晶体、一第二PMOS电晶体、一第三PMOS电晶体、一正温度系数电阻以及该PNP双极电晶体所组成;该第一PMOS电晶体闸极和汲极连接一输出电流端,而源极则是连接一Vdd电压;该第二PMOS电晶体闸极连接该输出电流端,源极亦连接该Vdd电压;该第三PMOS电晶体闸极连接该输出电流端,源极连接该Vdd电压而汲极则透过该正温度系数电阻接地;以及该PNP双极电晶体射极连接该第二PMOS电晶体之汲极且基极和集极则双双接地。如申请专利范围第1项所述之温度感应电路,其中该温度门槛控制单元可由一第四PMOS电晶体、一第一NMOS电晶体、一第二NMOS电晶体以及一第三NMOS电晶体所组成;该第四PMOS电晶体闸极连接该输出电流端,源极连接该Vdd电压;该第一NMOS电晶体闸极和汲极接在一起并与该第四PMOS电晶体的汲极搭接,而源极则是接地;该第二NMOS电晶体闸极与该第一NMOS电晶体的闸极相接,源极则是接地;以及该第三NMOS电晶体汲极连接该PNP双极电晶体的射极,其源极则连接该第二NMOS电晶体的汲极。如申请专利范围第1项所述之温度感应电路,其中该跨导放大器可由一第五PMOS电晶体、一第六PMOS电晶体、一第七PMOS电晶体、一第八PMOS电晶体、一第四NMOS电晶体、一第五NMOS电晶体、一第六NMOS电晶体以及一反闸所组成;该第五PMOS电晶体源极连接该Vdd电压,闸极连接该输出电流端;该第六PMOS电晶体源极连接该Vdd电压,而闸极亦连接该输出电流端,汲极则输出该警告讯号;该第七PMOS电晶体源极连接该第五PMOS电晶体之汲极,闸极连接该第三PMOS电晶体之汲极;该第七PMOS电晶体源极连接该第五PMOS电晶体之汲极,闸极连接该第三PMOS电晶体之汲极;该第八PMOS电晶体源极连接该第七PMOS电晶体之源极,闸极连接该PNP双极电晶体的射极;该第四NMOS电晶体汲极与其闸极相接并连接该第七PMOS电晶体之汲极,其源极则接地;该第五NMOS电晶体汲极连接该第八PMOS电晶体之汲极,其闸极与该第四NMOS电晶体之闸极相接,而源极则是接地;该第六NMOS电晶体汲极连接该警告讯号,闸极连接该第五NMOS电晶体之汲极,而源极亦同样是接地;以及该反闸输入端连接该警告讯号,而输出端则连接该第三NMOS电晶体之闸极。如申请专利范围第2项所述之温度感应电路,其中该PNP双极电晶体之射极所接收之电压为一双极电晶体射极电压(Vbe)。如申请专利范围第3项所述之温度感应电路,其中该第四PMOS电晶体经由该第一NMOS电晶体提供一电流镜的电流给该第二NMOS电晶体。如申请专利范围第3项所述之温度感应电路,其中该第三NMOS电晶体为该电流镜的开关,负责控制该电流镜。如申请专利范围第3项所述之温度感应电路,其中该第三NMOS电晶体开启时,该第二NMOS电晶体与双极电晶体会分享电流,若该第三NMOS电晶体关闭时,该第二NMOS电晶体与该PNP双极电晶体则会停止分享电流。
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