| 主权项 |
一种表面护片，系施行半导体晶圆的背面磨削时所使用，在基材片单面上设有：较所黏贴之半导体晶圆外径更小径且未形成黏接剂层的开口部；以及形成有在该开口部外周所形成之黏接剂层的部分。如申请专利范围第1项所述之表面护片，其中，该基材片及黏贴有黏接剂层的半导体晶圆系切割为同径，且形成有前述黏接剂层的部分系形成同心圆。一种半导体晶圆之磨削方法，系包括：将电路面上形成有凸块的半导体晶圆设成表面保护形态，该表面保护形态系设为，形成具有对应凸块形成部分且未形成黏接剂层的开口部、且在未形成有凸块的晶圆外围部分形成构成黏接剂形成部的黏接剂层，且使基材片以封塞黏接剂层开口部之方式积层在该黏接剂层上的状态，将基材片侧载置于固定台上，并对半导体晶圆背面侧施行磨削。如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆之磨削方法，其中，藉由将如申请专利范围第1项或第2项所述之表面护片黏贴于半导体晶圆的电路面上，而形成如申请专利范围第3项所述的表面保护形态。如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆之磨削方法，其中，对电路面上形成有凸块的半导体晶圆上，将黏接剂层对合黏贴于该半导体晶圆外围部分，而该黏接剂层系具有：形成有凸块的部分所对应之开口部、及对应未形成有凸块的晶圆外围部分之黏接剂形成部；更于该黏接剂层上积层黏贴基材片，以便形成封塞黏接剂层开口部的状态，而形成如申请专利范围第3项所述的表面保护形态。如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆之磨削方法，其中，电路面上所形成之凸块的高度系50μm以上，且配置于最外侧的凸块位置系距晶圆外缘2至10mm。如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆之磨削方法，其中，黏接剂层的厚度(At)与凸块的高度(Bt)之差(Bt-At)系-5至50μm。 |
