发明名称 发光组件
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.09.21
申请号 TW095108650 申请日期 2006.03.14
申请人 诺瓦发光二极体有限公司 发明人 马丁 普法伊弗尔;格雷戈尔 施瓦茨;史文 穆拉诺;扬 宾恩史托克
分类号 C09K11/06;H01L51/56 主分类号 C09K11/06
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项 一种发光组件,特别是有机发光二极体,其具有一电极与一对极以及一有机区域,该有机区域配置在该电极与该对极之间并具有一发光有机区域(EM),该发光有机区域包括一放射层(EML1)与一额外放射层(EML2),并且在对该电极与该对极施加一电压之后,于可见光谱范围复数个彩色范围中形成发光,且选择性地透过白光,其中:-该放射层(EML1)包括一萤光发光体,其主要在蓝光或蓝绿光光谱范围中发光;-该额外放射层(EML2)包括一个或复数个磷光发光体,其主要在非蓝光光谱范围中发光;-用于该放射层(EML1)中该萤光发光体的三重态能量程度的三重态能量,其大于用于该额外放射层(EML2)中该磷光发光体的三重态能量程度的三重态能量;-在该发光有机区域中所产生光的至少5%比例是于该可见光光谱范围中形成,以做为从该放射层(EML1)中萤光发光体单态的萤光。-该发光有机区域(EM)包括一另一放射层(EML3),其具有主要在非蓝光光谱范围中发光的一或复数个磷光发光体;-该放射层(EML1)配置于该额外放射层(EML2)与该另一放射层(EML3)之间;-该额外放射层(EML2)传输电子,该额外放射层(EML2)面向该阴极的一表面与该阴极面向该额外放射层(EML2)的一表面间的一距离,小于该放射层(EML1)面向该阴极的一表面与该阴极面向该放射层(EML1)的一表面间的一距离,也小于该另一放射层(EML3)面向该阴极的表面与该阴极面向该另一放射层(EML3)的一表面间的一距离;以及-该另一放射层(EML3)传输电洞,该另一放射层(EML3)面向该阳极的一表面与该阳极面向该另一放射层(EML3)的一表面间的一距离,小于该放射层(EML1)面向该阳极的一表面与该阳极面向该放射层(EML1)的一表面间的一距离,也小于该额外放射层(EML2)面向该阳极的一表面与该阳极面向该额外放射层(EML2)的一表面间的一距离,其中该发光有机区域(EM)是以一发射白光的方式形成,在该额外放射层(EML2)中的该或所有磷光发光体则为一在红光、橘光或绿光光谱范围中发光的发光体。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该发光有机区域中所产生光的至少10%比例是于该可见光光谱范围中形成,以做为该放射层(EML1)中萤光发光体单态的萤光。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该发光有机区域中所产生光的至少15%比例是于该可见光光谱范围中形成,以做为该放射层(EML1)中萤光发光体单态的萤光。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该发光有机区域中所产生光的至少20%比例是于该可见光光谱范围中形成,以做为该放射层(EML1)中萤光发光体单态的萤光。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该发光有机区域中所产生光的至少25%比例是于该可见光光谱范围中形成,以做为该放射层(EML1)中萤光发光体单态的萤光。如申请专利范围第1项至第5项中任一项的发光组件,其特征为该放射层(EML1)与该额外放射层(EML2)是以彼此邻近的方式所形成。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为该放射层(EML1)与该额外放射层(EML2)传输电洞,且在该放射层(EML1)面向形成为一阴极的电极的一表面与该阴极面向该放射层(EML1)的一表面之间的一距离,小于该额外放射层(EML2)面向该阴极的一表面与该阴极面向该额外放射层(EML2)的一表面间的一距离。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为该放射层(EML1)与该额外放射层(EML2)传输电子,且在该放射层(EML1)面向形成为一阳极的对电极的一表面与该阳极面向该放射层(EML1)的一表面间的一距离,小于该额外放射层(EML2)面向该阳极的一表面与该阳极面向该额外放射层(EML2)的一表面之间的一距离。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该放射层(EML1)与该阴极之间配置一电洞阻挡层,该电洞阻挡层传输电子,且该电洞阻挡层的一有机材料所具有的一最高被占有轨域(HOMO)位准低于在该放射层(EML1)中萤光发光体的一最高被占有轨域位准至少大致0.3电子伏特。如申请专利范围第1项或如申请专利范围第8项的发光组件,其特征为在该放射层(EML1)与该阳极之间配置一电子阻挡层,该电子阻挡层传输电洞,且该电子阻挡层的一有机材料所具有的一最低未被占有轨域(LUMO)位准高于在该放射层(EML1)中萤光发光体的最低未被占有轨域位准至少大致0.3电子伏特。如申请专利范围第9或第10项的发光组件,其特征为在该电洞阻挡层或该电子阻挡层中单态激子与三重态激子的一最小能量是大于在该放射层(EML1)中单态激子与三重态激子的一最小能量。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为该放射层(EML1)及/或该额外放射层(EML2)及/或该另一放射层(EML3)形成为一种多层形式。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为该放射层(EML1)具有介于约5奈米及约50奈米间的一厚度。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为该发光有机区域(EM)是以一发射白光的方式形成,在该额外放射层(EML2)中的该或所有磷光发光体则为一在红光、橘光或黄光光谱范围中发光的发光体。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为该发光有机区域(EM)是以一发射白光的方式形成,在该另一放射层(EML3)中的该或所有磷光发光体则为一在红光、橘光或黄光光谱范围中发光的发光体。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为该发光有机区域(EM)是以一发射白光的方式形成,在该另一放射层(EML3)中的该或所有磷光发光体则为一在红光、橘光或绿光光谱范围中发光的发光体。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该发光有机区域(EM)与该电极之间,及/或该发光有机区域(EM)与该对极之间形成一各别的掺杂有机层。如申请专利范围第17项的发光组件,其特征为该各别掺杂有机层是一种利用一接受子材料所p掺杂的层或是利用一贡献子材料所n掺杂的层。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该放射层(EML1)中的萤光发光体是一有机金属化合物,或是一种具有顺序数目小于40的合成化合物。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该放射层(EML1)中的萤光发光体包括来自以下分类的一吸引电子取代基:a)如氟、氯、碘或溴的卤素;b)氰根:c)卤化或氰取代的烷烃类或烯烃,特别是三氟甲基、五氟乙基、氰乙烯基、二氰乙烯基、三氰乙烯基;d)卤化或氰取代的芳香族羟基自由基,特别是五氟苯基;或是e)氧硼基自由基,特别是二烷基氧硼基、在烷基群集上具有取代基的二烷基氧硼基、二芳香基氧硼基或是在芳香基群集上具有取代基的二芳香基氧硼基。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该放射层(EML1)中的萤光发光体包括来自以下分类的一电子贡献取代基:a)如甲基、乙基、特丁基、异丙基等的烷基自由基;b)烷氧基自由基;c)在芳香基上具有或无取代基的芳香基自由基,特别是甲苯基与三甲苯基(mesityl);或d)氨基群,特别是NH2、二烷基胺、二芳香基胺、与在芳香基上具有取代基的二芳香基胺。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该放射层(EML1)中的萤光发光体包括来自以下分类的一电子接收性质功能基群:a)恶唑;b)三唑;c)苯并硫二唑;d)苯并咪唑或N-芳香基苯并咪唑;e)联吡啶;f)氰乙烯基;g)喹啉;h)喹喔啉;i)三芳香基氧硼基;j)silol units,特别是无环戊二稀矽的衍生物;k)环辛四烯;l)醌型结构及酮,包含醌型一硫二烯伍圜衍生物;m)吡唑啉;n)五芳香基环戊二烯;o)苯并硫二唑;p)具有吸引电子取代基的寡对苯基,或是q)具有吸引电子取代基的芴与环双芴基。如申请专利范围第1项的发光组件,其特征为在该放射层(EML1)中的萤光发光体包括来自以下分类的一电子接收性质功能基群:a)三芳香胺;b)寡对苯基或寡间苯基;c)咔唑;d)芴与环双芴基;e)苯烯-乙烯单元;f)萘;g)蒽;h)苝;i)苾,或j)一硫二烯伍圜。
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