| 主权项 |
一种大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其包括：一反应腔体；一移动式基板支撑座，系设于该反应腔体内，该移动式基板支撑座用以承载一大面积基板；一靶材，系设置于该反应腔体内该移动式基板支撑座上方，该靶材系连接至一负电压源；一惰性气体源，系通入该反应腔体内，该惰性气体源系用以溅镀该靶材；复数个电浆源，该每个电浆源有可各自独立操控的射频功率产生器、压力计与节流阀，系设置于该移动式基板支撑座上方该靶材两侧，该两侧之电浆源系分别设置成列，其排列方向与基板平行且与该移动式基板支撑座移动之方向垂直；及复数个反应性气体源，系分别通入该等电浆源，藉该等电浆源解离该等反应性气体源；其中该每个电浆源的射频功率与压力会被直接操作来调控反应性制程气体分解与解离的比例渗入溅镀所形成的薄膜中来控制该薄膜的组成成份与电性。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等电浆源系为复数个电感式耦合电浆源，其电感线圈由石英或是陶瓷与反应腔体隔开。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等电浆源系为复数个电容式耦合电浆源，其电容电极由石英或是陶瓷与反应腔体隔开。如申请专利范围第2项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该电感式耦合电浆源系包含一螺旋管状电极。如申请专利范围第3项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该电容式耦合电浆源系包含一对平行电极板。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该基板支撑座系一承载平台。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该基板支撑座系由复数个滚筒组成。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中更包含一磁控电极耦合该靶材而连接该负电压源，藉以产生电场于该靶材表面，该磁控电极背面有磁铁，藉以产生磁场于该靶材表面。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中更包含一导电电极安装于该基板支撑座一适位处，以施加一偏压于该基板上。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中更包含一加热器安装于该基板支撑座一适位处，以控制该基板温度。如申请专利范围第9项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中更包含一加热器安装于该基板支撑座一适位处，以控制该基板温度。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等反应性气体源包含至少一种反应性气体。如申请专利范围第2项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等反应性气体源包含至少一种反应性气体。如申请专利范围第3项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等反应性气体源包含至少一种反应性气体。如申请专利范围第12、13或14项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该两侧之每一电浆源仅对应一种该反应性气体，对应各反应性气体之电浆源在该靶材两侧边系呈交错式排列设置。如申请专利范围第1项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该复数个电浆源可依不同时序分别通入该等不同的反应性气体源以在该大面积基板上形成复合式薄膜。一种大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其包括：一反应腔体；一基板支撑座，系设置于该反应腔体内，用以承载一大面积基板；复数个靶材，系设于该反应腔体内该基板支撑座上方，该等靶材系连接至一负电压源；一惰性气体源，系通入该反应腔体内，用以溅镀该等靶材；复数个远端电浆源，该每个电浆源有可各自独立操控的射频功率产生器、压力计与节流阀，系设置于该等靶材上方并且连通该反应腔体内；及至少一反应性气体源，系通入该等电浆源，藉该等电浆源解离该等反应性气体源；其中该每个电浆源的射频功率与压力会被直接操作来调控反应性制程气体分解与解离的比例渗入溅镀所形成的薄膜中来控制该薄膜的组成成份与电性。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等远端电浆源系设于该反应腔体外部。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等远端电浆源系设于该反应腔体内部。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等远端电浆源系为电感式耦合电浆源，其电感线圈由石英或是陶瓷与反应腔体隔开。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等远端电浆源系为电容式耦合电浆源，其电容电极由石英或是陶瓷与反应腔体隔开。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等反应性气体源包含至少一种反应性气体。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中更包含一磁控电极连接该负电压源，以施予一电场于该等靶材表面，该磁控电极背面有磁铁，藉以产生磁场于该靶材表面。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中更包含一导电电极安装于该基板支撑座一适位处，以提供一偏压予该基板。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中更包含一加热器安装于该基板支撑座一适位处，以控制该基板温度。如申请专利范围第20项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等反应性气体源包含至少一种反应性气体。如申请专利范围第21项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该等反应性气体源包含至少一种反应性气体。如申请专利范围第17项所述之大面积电浆辅助反应气体解离之溅镀设备，其中该复数个电浆源可依不同时序分别通入该等不同的反应性气体源与电浆功率以在该大面积基板上形成复合式薄膜。 |
