发明名称 脊形波导半导体激光二极管
摘要 本发明提供了一种具有改进的电流注入结构的脊形波导半导体激光二极管。所述脊形波导半导体激光二极管包括:衬底;形成于所述衬底上的下部多半导体层;形成于所述下部多半导体层上的有源层;具有脊形部分,并且形成于所述有源层上的上部多半导体层;以及形成于所述上部多半导体层上的上部电极,其中,所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面。
申请公布号 CN101017959B 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN200610125681.X 申请日期 2006.08.31
申请人 三星LED株式会社 发明人 孙重坤;张泰勋;成演准;司空坦;白好善;李成男
分类号 H01S5/22(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I 主分类号 H01S5/22(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波
主权项 一种脊形波导半导体激光二极管,包括:衬底;形成于所述衬底上的下部多半导体层;形成于所述下部多半导体层上的有源层;具有脊形部分并且形成于所述有源层上的上部多半导体层,所述上部多半导体层包括上部波导层和上部履层,所述上部波导层的一部分和所述上部履层形成于所述脊形部分上;形成于所述上部多半导体层上的上部电极;形成于所述上部电极和所述上部履层之间的上部接触层;以及埋入所述上部波导层内并形成于所述脊形部分上的电流散布层,其中,所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面,通过所述脊形部分的侧表面注入电流。
地址 韩国京畿道