| 发明名称 | 具有金属膏的基板贯通过孔和重分布层 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，其用在该半导体器件和其他半导体器件的堆叠配置中。该半导体器件包括：基板(5)，所述基板(5)包括在其第一侧面提供的电子电路(7)的至少一部分。所述基板(5)包括在第一侧面的钝化层(19)，以及从第一侧面延伸至过孔深度并超过电子电路(7)的深度的基板过孔，使得能够通过对所述基板(5)的背面减薄来将基板过孔重配置为基板贯通过孔(10)。该半导体器件还包括：图案化掩模层(15)，在所述基板(5)的第一侧面上。图案化掩模层(15)至少包括完全延伸通过图案化掩模层(15)的沟槽(16)。该沟槽(16)已填充有重分布导体(20)。基板过孔和重分布导体(20)包括金属膏(MP)并一起形成为一体。本发明的半导体器件的特征的效果在于，在基板贯通过孔(10)和重分布导体(20)之间没有物理界面。由于本发明，减少了该电连接的寄生电阻，这产生了半导体器件的更好的电性能。本发明还涉及一种制造这种半导体器件的方法。本发明还涉及一种包括多个这种半导体器件的堆叠配置的半导体组件。 | ||
| 申请公布号 | CN102197479A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN200980143290.2 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 弗雷迪·罗泽博姆;埃里克·科尼利斯·厄伯特斯·范格林斯文;弗朗西斯·休伯特斯·玛丽·圣德斯;玛丽亚·马瑟·安东尼塔·伯户恩 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其用在该半导体器件和其他半导体器件的堆叠配置中，所述半导体器件包括：‑基板(5)，所述基板(5)包括在其第一侧面提供的电子电路()的至少一部分，所述基板(5)包括在第一侧面的钝化层(19)，并具有从第一侧面延伸至过孔深度并超过电子电路()的深度的基板过孔，使得能够通过对所述基板(5)的背面减薄来将基板过孔重配置为基板贯通过孔(10)；以及‑图案化掩模层(15)，在所述基板(5)的第一侧面上，其中图案化掩模层(15)至少包括完全延伸通过图案化掩模层(15)并填充有重分布导体(20)的沟槽(16)，其中所述基板过孔和所述重分布导体(20)包括金属膏(MP)并一起形成为一体。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||