用于监测硅片的厚度的装置和方法以及用于硅片减薄的装置

摘要

本发明提供了一种用于监测至少在其背面具有高掺杂层的硅片的厚度的装置。该装置具有配置来发射多个波长的相干光的源。而且，该装置还包括测量头，其配置来邻近硅片不接触地定位并且配置来以相干光照射至少一部分的硅片以及接收由硅片反射的至少一部分的辐射。另外，该装置还包括分光计、分束器和评估设备。评估设备被配置来利用光学相干断层成像技术分析由硅片反射的辐射，进而确定硅片的厚度。在中心波长wc附近的带宽b中发射多个波长的相干光。硅片的高掺杂层的光吸收系数为最小值时的波长位于该带宽b中。

主权项

一种用于监测至少在其背面具有高掺杂层的硅片的厚度的装置，所述装置包括：‑光源，其配置来发射多个波长的相干光，‑测量头，其配置来不接触地邻近包括从其上移除一部分的背面的硅片，并且配置来以多个波长的相干光照射至少一部分的硅片以及配置来接收由该硅片反射的至少一部分的辐射，‑分光计，其配置来接收由硅片反射的至少一部分的辐射并且测量由硅片反射的辐射的局部强度作为波长的函数，‑分束器，其耦合至测量头、光源以及分光计。‑评估设备，其配置来以利用光学相干断层成像技术分析由硅片反射的辐射，进而确定硅片的厚度，其特征在于，光源被配置来发射多个波长的相干光，所述多个波长具有中心波长wc附近的带宽b，带宽b具有确定的限值，使得硅片的高掺杂层的光吸收系数为最小值时的波长位于该带宽b中。