| 发明名称 | Sinker MOS电容模型及其建立方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种Sinker MOS电容模型及其建立方法。所述Sinker MOS电容模型的建立方法，包括如下步骤：提取所述Sinker MOS电容的面积电容参数；提取所述Sinker MOS电容的边缘电容参数；生成所述Sinker MOS电容的栅氧化层的厚度随所述Sinker MOS电容的沟道长度变化的拟合函数；根据所述面积电容参数、边缘电容参数和所述拟合函数建立所述Sinker MOS电容的模型。采用本发明的方法建立的Sinker MOS电容模型更加准确。 | ||
| 申请公布号 | CN102194026A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110103505.7 | 申请日期 | 2011.04.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 朱正鹏 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种Sinker MOS电容模型的建立方法，其特征在于，包括如下步骤：提取所述Sinker MOS电容的面积电容参数；提取所述Sinker MOS电容的边缘电容参数；生成所述Sinker MOS电容的栅氧化层的厚度随所述Sinker MOS电容的沟道长度变化的拟合函数；根据所述面积电容参数、边缘电容参数和所述拟合函数建立所述Sinker MOS电容的模型。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||